[发明专利]单晶硅晶片的制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅晶片的制造方法，通过切克劳斯基法提拉单晶硅晶棒，并 对自该单晶硅晶棒切出的晶片进行快速热处理，其特征为：

预先对自改变提拉速度提拉而成的上述单晶硅晶棒切出的晶片，改变热 处理温度进行快速热处理，在该快速热处理后进行氧化膜耐压测定，求出上 述提拉速度及上述热处理温度和上述氧化膜耐压测定结果之间的关系，然后 基于该关系，以在上述快速热处理后其径向全面成为空孔型点缺陷的空位和 间隙型点缺陷的间隙硅并无过多或过少的N区域的方式，来决定育成上述单 晶硅晶棒时的提拉速度及在上述快速热处理中的热处理温度的条件，进行上 述单晶硅晶棒的提拉及上述快速热处理，来制造硅单晶晶片。

2.如权利要求1所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，将上述单晶硅晶 棒，以使其径向全面成为N区域中的间隙硅占优势的Ni区域的提拉速度来 进行提拉。

3.如权利要求1所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，提拉上述单晶硅 晶棒时，掺杂1×10¹¹～1×10¹⁵atoms/cm³浓度的氮及/或1×10¹⁶～1× 10¹⁷atoms/cm³浓度的碳。

4.如权利要求2所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，提拉上述单晶硅 晶棒时，掺杂1×10¹¹～1×10¹⁵atoms/cm³浓度的氮及/或1×10¹⁶～1× 10¹⁷atoms/cm³浓度的碳。

5.如权利要求1所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，在提拉上述单晶 硅晶棒时，掺杂8ppm以上15ppm以下的浓度的氧。

6.如权利要求2所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，在提拉上述单晶 硅晶棒时，掺杂8ppm以上15ppm以下的浓度的氧。

7.如权利要求3所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，在提拉上述单晶 硅晶棒时，掺杂8ppm以上15ppm以下的浓度的氧。

8.如权利要求4所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，在提拉上述单晶 硅晶棒时，掺杂8ppm以上15ppm以下的浓度的氧。

9.如权利要求1～8中任一项所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，在非 氧化性环境下进行上述快速热处理。

10.如权利要求1～8中任一项所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，在 上述快速热处理中，将热处理温度设为1100℃以上1300℃以下。

11.如权利要求9所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，在上述快速热 处理中，将热处理温度设为1100℃以上1300℃以下。