[发明专利]三维微结构以及制造三维微结构的方法

权利要求书

1.一种制造三维结构的方法，该方法包括：

按三维阵列来沉积多个微滴，该阵列包括被设置用于形成支撑结构的第一类微滴以及用于在支撑结构上形成导电晶种层的第二类微滴；以及

将结构材料电沉积到晶种层上；

其中，所述第一类微滴可溶解于第一溶剂，而所述第二类微滴可溶解于第一溶剂或第二溶剂。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：在电沉积之后，除去第一类微滴。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积步骤包括在一系列层中沉积微滴。

4.如权利要求3所述的方法，还包括：在沉积一层微滴之后，使该层中的微滴的外部变平滑。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积步骤包括通过打印头沉积微滴。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述打印头包括喷墨打印头。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

第一类微滴形成多个支撑结构；

第二类微滴在至少多个支撑结构上形成导电晶种层；以及

所述电沉积包括将结构材料电沉积到至少多个支撑结构上的晶种层上。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，沉积在晶种层上的结构材料形成多个导电接触结构。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述接触结构是弹性的。

10.如权利要求8所述的方法，还包括：在结构材料上选择性地沉积一种或多种附加材料。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述电沉积包括电泳沉积。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，至少多个晶种层电连接到电子元件的端子，并且电沉积包括将金属结构材料电沉积到晶种层和端子上。

13.如权利要求12所述的方法，还包括：将电子元件的至少多个端子彼此电连接。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，使端子电连接的步骤包括：在电子元件上多个端子之间沉积邻接的导电材料的微滴。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，每一个接触结构的第一部分附着于端子之一，该接触结构的第二部分从该端子处延伸出去并且与电子元件间隔开。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述电子元件包括用于构成探针卡组件的探针基板。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述电子元件包括半导体管芯。

18.如权利要求12所述的方法，还包括：

将电子器件的端子的第一子集电连接，以及

将电子器件的端子的第二子集电连接。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，

将端子的第一子集电连接包括：将端子的第一子集电连接到由第一导电材料构成的多个第一导电微滴，以及

将端子的第二子集电连接包括：将端子的第二子集电连接到由第二导电材料构成的多个第二导电微滴，第二导电材料不同于第一导电材料。

20.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述接触结构之一的一部分与另一个接触结构的一部分重叠。

21.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述阵列还包括第三类微滴，设置第三类微滴以形成停止结构从而限制接触结构之一的偏转。

22.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述支撑结构的至少一部分形成用于支撑所述接触结构的柔性基座。

23.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阵列还包括第三类微滴，所述方法还包括除去第三类微滴以露出晶种层。

24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，第一类微滴包括第一材料，第二类微滴包括第二材料，第三类微滴包括第三材料，并且除去第三类微滴的步骤包括用一种不溶解第一材料或第二材料的溶剂来溶解第三类微滴。

25.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

被电镀到晶种层上的金属结构材料形成三维结构的第一部分，以及

所述阵列包括第三类微滴，设置第三类微滴以形成三维结构的第二部分。