[发明专利]三维微结构以及制造三维微结构的方法无效
| 申请号： | 200680051827.9 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101336466A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | G·L·马修;T·方;E·D·霍博斯 | 申请（专利权）人： | 佛姆法克特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 微结构 以及 制造 方法 | ||
背景技术
利用微构成技术，可以制造出用于许多不同应用的许多类型的小结构。例如，对于许多不同的应用而言，许多不同类型的微机电系统(MEMS)结构是已知的或正在开发之中。本发明一般涉及用于制造小结构的方法和系统，还涉及结构自身。
发明内容
本发明的实施方式涉及产生三维结构。特别是，本发明的实施方式涉及用于在三维阵列中沉积多个微滴的系统和方法。该阵列可以包括：第一类微滴，被设置成形成支撑结构；以及第二类微滴，用于在支撑结构上形成导电的晶种层。一种结构材料可以被电沉积到晶种层上以产生三维结构。
附图说明
图1A示出了根据本发明一些实施方式的典型基板和端子的顶视图；
图1B示出了图1A的典型基板的侧面横截面图；
图2A示出了根据本发明一些实施方式具有第一层微滴的图1A的典型基板的顶视图；
图2B示出了图2A的侧面横截面图；
图3A示出了所沉积的微滴的典型轮廓；
图3B示出了根据本发明一些实施方式用于改变所沉积的微滴的表面的典型方式；
图4A示出了根据本发明一些实施方式具有第二层微滴的图2A的典型基板的顶视图；
图4B示出了图4A的侧面横截面图；
图5A示出了根据本发明一些实施方式具有第三层微滴的图4A的典型基板的顶视图；
图5B示出了图5A的侧面横截面图；
图6A示出了根据本发明一些实施方式具有第四层微滴的图5A的典型基板的顶视图；
图6B示出了图6A的侧面横截面图；
图7A示出了根据本发明一些实施方式具有第五层微滴的图6A的典型基板的顶视图；
图7B示出了图7A的微滴的侧面横截面图；
图8A示出了根据本发明一些实施方式具有第六层微滴的图7A的典型基板的顶视图；
图8B示出了图8A的侧面横截面图；
图9A示出了根据本发明一些实施方式具有第七层微滴的图8A的典型基板的顶视图；
图9B示出了图9A的微滴的侧面横截面图；
图10A示出了根据本发明一些实施方式具有第八层微滴的图9A的典型基板的顶视图；
图10B示出了图10A的微滴的侧面横截面图；
图11A示出了根据本发明一些实施方式具有第九层微滴的图10A的典型基板的顶视图；
图11B示出了图11A的微滴的侧面横截面图；
图12A示出了根据本发明一些实施方式在除去了第一类微滴且露出了晶种层的情况下图11A的典型基板的顶视图；
图12B示出了图12A的侧面横截面图；
图13A示出了在晶种层上形成一个结构的情况下图12A的典型基板的顶视图；
图13B示出了图13A的侧面横截面图；
图14A示出了在除去支撑结构的情况下图13A的典型基板的顶视图；
图14B示出了图14A的侧面横截面图；
图15示出了根据本发明一些实施方式具有多个微滴层的典型基板的侧面 横截面图；
图16示出了具有接触结构的图15的典型基板的侧面横截面图；
图17示出了根据本发明一些实施方式在其上沉积多个微滴以产生多个三维结构的典型基板的顶视图；
图18A示出了具有多个微滴层的图17的典型基板的侧面横截面图；
图18B示出了在除去第一类微滴且露出多个晶种层的情况下图18A的典型基板的侧面横截面图；
图18C示出了在相应晶种层上形成各种结构的情况下图18B的典型基板的侧面横截面图；
图18D示出了在除去支撑结构的情况下图18C的典型基板的侧面横截面图；
图19示出了根据本发明一些实施方式典型的探针卡组件；
图20示出了根据本发明一些实施方式具有典型管芯的典型半导体晶片，在这些管芯上可以产生三维微结构；
图21示出了根据本发明一些实施方式用于向基板施加微滴的典型喷头；
图22示出了根据本发明一些实施方式用于向基板施加微滴的典型系统；
图23示出了根据本发明一些实施方式而产生的另一种典型的三维结构的透视图；以及
图24示出了根据本发明一些实施方式而产生的另一种典型的三维结构的透视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
