[发明专利]玻璃和玻璃－陶瓷上锗结构无效

申请号：	200680052647.2	申请日：	2006-12-22
公开（公告）号：	CN101371348A	公开（公告）日：	2009-02-18
发明（设计）人：	P·S·丹尼尔森;M·J·德内卡;K·P·加德卡里;J·C·拉普;L·R·平克尼	申请（专利权）人：	康宁股份有限公司
主分类号：	H01L21/762	分类号：	H01L21/762;H01L21/20;C03C3/04;H01L21/84
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司	代理人：	朱黎明
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	玻璃陶瓷结构
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种绝缘体上半导体结构，该结构包括第一层和第二层，第一层和第二层可以直接相互接合，或通过一个或多个中间层接合，其中

第一层包含基本为单晶的含锗半导体材料；

第二层包含玻璃或玻璃-陶瓷，该玻璃或玻璃-陶瓷在25-300℃的线性热膨胀系数在所述第一层的线性热膨胀系数的±20×10^-7/℃范围之内；

所述玻璃具有包含以下组分之一的组成：

(a)按照重量百分比并由氧化物基准的批料计算：15-45％SiO₂，7.5-15％ Al₂O₃，15-45％MgO+CaO+SrO+BaO以及最多55％RE₂O₃，所述RE选自以下的稀土元素：Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，以及它们的混合物；

(b)按照重量百分比并由氧化物基准的批料计算：45-70％SiO₂，2.5-30％ Al₂O₃，0-8％B₂O₃，2.5-30％MgO+CaO+SrO+BaO和1-20％La₂O₃+Y₂O₃；

(c)按照重量百分比并由氧化物基准的批料计算：55-65％SiO₂，10-20％ Al₂O₃和15-30％MgO+CaO+SrO+BaO；或者

(d)按照重量百分比并由氧化物基准的批料计算：30-55％SiO₂，18-28％ Al₂O₃，8-20％ZnO，0-6％ZnO，0-6％MgO，0-3％CaO，0-3％SrO，0-3％BaO，0-3％ K₂O，0-15％Rb₂O+Cs₂O，0-10％TiO₂和0-10％ZrO₂。

2.如权利要求1所述的绝缘体上半导体结构，其特征在于，所述玻璃或玻璃-陶瓷在25-300℃的线性热膨胀系数在50-70×10^-7/℃范围。

3.如权利要求1所述的绝缘体上半导体结构，其特征在于，所述玻璃或玻璃-陶瓷在25-300℃的线性热膨胀系数为61×10^-7/℃。

4.如权利要求1所述的绝缘体上半导体结构，其特征在于，所述玻璃或玻璃-陶瓷的应变点大于或等于700℃。

5.如权利要求1所述的绝缘体上半导体结构，其特征在于，第一层和第二层之间的结合强度至少为8J/m²。

6.如权利要求1所述的绝缘体上半导体结构，其特征在于，该结构的至少一部分包含以下材料：

所述第一层包括：锗半导体材料层；和氧含量提高的锗半导体材料层；

所述第二层依次包括：对至少一种类型的正离子的正离子浓度降低的玻璃或玻璃陶瓷材料层，该层与所述氧含量提高的锗半导体材料层相邻；

对至少一种类型的正离子的正离子浓度提高的玻璃或玻璃陶瓷材料层；和

玻璃或玻璃陶瓷层。