[发明专利]具有STI区的非对称场效应半导体器件无效
| 申请号： | 200680053004.X | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101375404A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 西奥多·詹姆斯·莱塔维克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 sti 对称 场效应 半导体器件 | ||
1.一种非对称半导体器件(20)，其包括浅沟槽隔离(STI)区(22)，该浅沟槽隔离(STI)区(22)在漏极(34)和栅极(36)之间形成了电介质以允许高压操作，其中所述STI区包括被成形以降低碰撞电离率的下部拐角(24)。
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述下部拐角(24)是圆形的。
3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述下部拐角包括晶面。
4.根据权利要求1、2或3所述的器件，其还包括：
衬底(25)，该衬底(25)包括了在外延层上形成图案的第一类型的深阱注入；
环绕所述STI区的第一类型的第一阱注入(30)；以及
位于源极(32)之下的第二类型的第二阱注入(28)。
5.根据权利要求4所述的器件，其还包括位于所述STI区之上并且朝向源极延伸的多晶硅壁(38)。
6.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的器件，其中所述STI区的第二下部拐角(26)是圆形的。
7.一种形成非对称半导体器件(20)的方法，其包括：
形成第一类型的深阱注入(25)；
在所述深阱注入之上并在漏极位置(34)及一部分栅极位置(36)之下形成第一类型的第一阱注入(30)；
在与漏极位置邻接的一部分栅极位置之下的第一阱注入中形成浅沟槽隔离(STI)区(22)，其中所述STI区包括被成形以降低碰撞电离率的下部拐角(24)。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述下部拐角是圆形的。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中形成了具有晶面的下部拐角。
10.根据权利要求7、8或9所述的方法，其还包括：在源极位置(32)之下形成第二类型的第二阱注入(28)。
11.根据权利要求10所述的方法，其还包括步骤：在朝向所述源极位置延伸的STI区之上形成多晶硅壁(38)。
12.根据权利要求7至11中的任一权利要求所述的方法，其包括另一步骤：使所述STI区的第二下部拐角(26)成形。
13.一种非对称半导体器件(20)，其包括浅沟槽隔离(STI)区(22)，该浅沟槽隔离(STI)区(22)在两个活性区之间形成电介质，其中所述STI区包括被成形以改善器件性能的下部拐角(24)。
14.根据权利要求13所述的器件，其中所述下部拐角(24)是圆形的。
15.根据权利要求13或14所述的器件，其中所述下部拐角包括晶面。
16.根据权利要求13、14或15所述的器件，其还包括：
衬底(25)，该衬底(25)包括了在外延层上形成图案的第一类型的深阱注入；
环绕所述STI区的第一类型的第一阱注入(30)；以及
位于源极(32)之下的第二类型的第二阱注入(28)。
17.根据权利要求16所述的器件，其还包括位于所述STI区之上并且朝向所述源极延伸的多晶硅壁(38)。
18.根据权利要求13到17中的任一权利要求所述的器件，其中所述STI区的第二下部拐角(26)是圆形的。
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