[发明专利]用于转移在具有空位团的基片中形成的薄层的改进方法

权利要求书

1.一种形成绝缘体上的半导体结构体(20)的方法，所述方法包括：

-提供具有第一密度的空位团的供体基片(1)；

-提供绝缘层(30)；

-将薄层(10)从所述供体基片(1)转移到其上具有所述绝缘层(30)的支 持基片(2)；

-整治经转移的所述薄层(10)从而将所述空位团的第一密度降低到第 二密度；

所述方法的特征在于所述提供绝缘层(30)的步骤包括提供与经转移 的所述薄层(10)接触的阻氧层(4)，所述阻氧层限制氧在所述整治期间向所 述薄层的扩散，

其中，所述提供绝缘层(30)的步骤进一步包括提供包埋层(3)以使其 插入所述支持基片(2)和所述阻氧层(4)之间，从而使所述绝缘层(30)同时 包含所述包埋层(3)和所述阻氧层(4)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，将所述包埋层(3)提供在所述支 持基片(2)的表面上。

3.如权利要求1所述的方法，其中，通过所述支持基片(2)表面的热 氧化来提供所述包埋层(3)。

4.如权利要求1所述的方法，其中，通过在所述支持基片(2)表面上 的沉积来提供所述包埋层(3)。

5.如权利要求2～4中任一项所述的方法，其中，所述阻氧层(4)提 供在所述包埋层(3)上，而所述包埋层(3)已提供在所述支持基片(2)上，并 且将所述薄层(10)从所述供体基片(1)转移到所述阻氧层(4)上。

6.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，通过沉积氮化硅 层来提供所述阻氧层(4)。

7.如权利要求6所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)来进行所述沉积。

8.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，通过对所述转移 后获得的结构体(20)进行热退火来进行所述整治。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在非氧化性氛围下进行所述热 退火。

10.如权利要求9所述的方法，其中，在含有纯氢、纯氩或氢和氩 的混合物的氛围下进行所述热退火。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述热退火是快速热处理 (RTP)，或者在炉中进行。

12.如权利要求9所述的方法，其中，所述热退火是在含有氢和氯 化氢的氛围下进行的平滑退火。

13.如权利要求1～4中任一项所述的方法，所述方法进一步包括在 所述供体基片(1)中提供弱化区(60)来界定待转移的所述薄层(10)，将所述 供体基片(1)、绝缘层(30)和支持基片(2)结合在一起，和在所述弱化区(60) 分离所述供体基片。

14.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，通过切割以至少 0.75mm/分钟的速度拉制的晶锭来形成所述供体基片。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述供体基片的大于0.14μm 的空位团的第一密度小于0.01/cm²，并且在整治经转移的所述层之后，第 二密度小于或等于0.075/cm²。

16.如权利要求14所述的方法，其中，所述供体基片的大于0.2μm 的空位团的第一密度大于1.5/cm²，并且在整治经转移的所述层之后，第 二密度小于或等于0.075/cm²。

17.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括从所述供体基 片分离附加薄层，从而在其中形成电路。