[发明专利]用于制造净化基体或进一步处理的清洁基体的方法和装置

权利要求书

1.一种用于制造至少一个净化基体或用于制造由清洁和在这样 的清洁之前和/或之后的另外的处理所得到的基体的方法，包括：

●在具有反应空间并且包含待电离的气体的真空室中、在至少 一个电子源阴极和具有至少一个阳极电极的至少一个阳极装 置之间建立至少一个等离子体放电；

●通过具有向所述反应空间打开的开口并且包括所述至少一个 阳极电极的限制装置，增加所述至少一个阳极装置附近的电 子密度并且从而增加离子密度；

●在所述限制装置内提供所述阳极电极，以及以与所述阳极电 极的电势不同的电势操作所述限制装置，从而使增加的离子 密度集中于所述限制装置中和所述开口附近；

●使所述基体处于至少时间上平均的、关于所述阳极电极的所 述电势的负电势；

●在预定的清洁时间内，使所述基体的至少待清洁的表面暴露 于所述增加的离子密度的且在所述开口附近的区域，从而离 所述开口比离所述电子源阴极明显地更近。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，从而选择所述等离 子体放电为低压放电，其中对于阳极电极对电子源阴极的电压U_AC有 效的为：

20V≤U_AC≤100V。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，35V≤U_AC≤70V。

4.如权利要求1至3中一项所述的方法，其特征在于，从而通 过以浮动电势操作的电力供应电路来对所述阳极电极和所述电子源 阴极相互给电。

5.如权利要求1至3中一项所述的方法，其特征在于，包括： 以浮动电势操作所述限制装置。

6.如权利要求1至3中一项所述的方法，其特征在于，所述限 制装置的内部空间选择为至少在一个横截面上是大致上U形的，并且 提供从以所述横截面所看作的所述U形内部空间底部隔开并且沿着 所述U形内部空间底部的所述阳极电极。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，从而所述内部空间 选择为形成横穿所述横截面的通道。

8.如权利要求1至3中一项所述的方法，其特征在于，包括： 用DC以及重叠脉冲对所述阳极电极关于所述电子源阴极给电。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，DC值、关于所述 DC值的所述脉冲振幅、脉冲重复频率、脉冲宽度或占空比、脉冲波 形中至少一个是可调整的。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述脉冲的脉冲重 复频率f选择为：

0.2Hz＜f≤200kHz。

11.如权利要求1至3中一项所述的方法，其特征在于，所述限 制装置的内部空间选择为至少在一个横截面上为大致上U形的，并且 提供从以所述横截面所看作的所述U形内部空间底部隔开并且沿着 所述U形内部空间底部的所述阳极电极，所述阳极电极在所述横截面 内具有延伸度w_AN，所述限制装置的所述内部空间的所述底部选择为 具有延伸度w_CO并且其中有效为：

w_AN＜w_CO≤w_AN+2DSD，

其中DSD是在所述真空室内操作所述方法的条件下的暗区距离。

12.如权利要求1至3中一项所述的方法，其特征在于，所述限 制装置的内部空间选择为至少在一个横截面上为大致上U形的，并且 提供从以所述横截面所看作的所述U形内部空间底部隔开并且沿着 所述U形内部空间底部的所述阳极电极，所述阳极电极在所述横截面 内具有延伸度w_AN，所述限制装置的所述U形内部空间的支部具有延 伸度L并且其中有效为：

0.5w_AN≤L≤1.5w_AN。