[发明专利]用于制造净化基体或进一步处理的清洁基体的方法和装置

说明书

本发明在第一方面涉及制造至少一个净化基体，从而特别地，清 洁基体的净化切割工具体在被清洁之前和/或之后可能又被处理例如 通过加热和/或涂覆。一般来说，用于制造这样的净化基体的清洁工艺 是非反应性或者反应性的等离子体腐蚀。在本发明的第一方面，目标 是在待清洁基体的表面区域附近提供增加的腐蚀等离子体密度以及 也在提到的表面区域，从而特别地在工具体基体的切割边缘，的浮凸 和凸角部内获得改进的均匀清洁。

根据本发明的第一方面的目标通过用于制造至少一个净化基体 或由对这样净化基体的额外处理产生的基体的方法实现，该方法包 括：

●在具有反应空间并且包含待电离的气体的真空室中、在至少 一个电子源阴极和具有至少一个阳极电极的至少一个阳极装 置(anode arrangement)之间建立至少一个等离子体放电；

●通过具有朝反应空间打开的开口并且包括至少一个阳极电极 的限制装置(confinement)，增加至少一个阳极装置附近的 电子密度以及从而增加离子密度；

●在限制装置内提供阳极电极以及以与施加在阳极电极上的电 势不同的电势操作限制装置，从而将增加的离子密度集中于 限制装置内和开口附近；

●使基体处于至少在时间上平均地、且关于阳极电极的电势的 负电势；

●在预定的清洁时间内，使基体的至少待清洁的表面区域暴露 于增加的离子密度和开口附近的，从而离开口比离电子源阴 极明显地更近，的区域。

根据DE 42 28 499，基体的等离子体清洁通过在空心阴极和面对 空心阴极并且沿着放电轴线的大致上平的阳极之间建立等离子放电 而实现。基体位于真空室内，远离并且沿着放电轴线。

根据另外的基本上集中于等离子体清洁的参考，在DE 41 25 365 中，其符合US-A-5 294 322，在蒸发靶(evaporation target)和作为阳 极的真空室壁之间以及通过第一电力供应建立第一等离子体放电。为 了清洁的目的在蒸发靶和基体之间放置开闭器(shutter)。第二个阳 极电极是U形并且，为了清洁的目的，由第二附加的电力供应(electric supply)以关于真空室壁的阳极电势操作。经由第三电力供应基体以 关于提到的壁的阴极电势操作。

还关注US 5 503 725。

根据本发明，在一个实施例中，所提到的等离子体放电产生为低 压放电，其中对于阳极电极对电子源阴极电压U_AUX，有效为：

20V≤U_AC≤100V

从而在另外的实施例中，

35V≤U_AC≤70V。

定义：

贯穿本说明以及权利要求每当我们提到的电压、电流或电势值时 我们提及这样的值为“均方根”值(RMS)。为了这样的均方根值的 定义参考例如Wikipedia

http://en.wikipedia.org/wiki/ROOT MEAN SQUARE

在另外的实施例中阳极电极和电子源阴极通过以浮动电势操作 的电力供应电路来操作。

从而，只使用一个电力供应并且电子源阴极仅“看见”一个以所 定义的电势差的阳极电极，其是提到的在限制装置内的阳极电极。

尽管是通过附加的电力供应，所提到的限制装置可以预先确定 的、可能可调整的与阳极电极的电势不同的电势驱动，在一个实施例 中提到的限制装置以浮动电势操作。

从而，提到的限制装置是金属的或具有介电材料体，其表面的至 少一部分是金属的。可能地它甚至可是介电材料的。

在一个实施例中，提到的限制装置的内部空间选择为至少在一个 横截面上是大致上U形的。阳极电极设置在从U形内部空间的底部隔 开并且沿着U形内部空间的底部，这还是在提到的横截面上考虑的。

另外，在实施例中提到的U形的内部空间形成看作是横穿提到的 横截面的通道。

在另外的实施例中阳极电极用DC以及重叠脉冲关于电子源阴极 给电。从而，一方面在提到的限制装置内和限制装置附近产生高等离 子体密度并且，在另一方面可控地限制限制装置和阳极电极的变热是 可能的。