[发明专利]重配置线路结构及其制造方法无效
申请号: | 200710000954.2 | 申请日: | 2007-01-15 |
公开(公告)号: | CN101226889A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 鲁选锋 | 申请(专利权)人: | 百慕达南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/485;H01L23/498 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 英属百慕达群岛汉*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 配置 线路 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种重配置线路结构的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:
提供一基板,该基板具有多个接垫与一保护层,其中该保护层具有多个第一开口,且各第一开口暴露出相对应的该接垫的一部分;
在该保护层上形成一第一图案化光阻层,其中该第一图案化光阻层具有多个第二开口,且各第二开口暴露出该第一接垫的一部分;
在上述开口内形成多个第一凸块;
在该基板上方形成一第一球底金属材料层,以覆盖该第一图案化光阻层与上述第一凸块;
在上述第一凸块上方的该第一球底金属材料层上形成多个导线层;以及
以上述导线层为遮罩,图案化该第一球底金属材料层,以形成多个第一球底金属层。
2.根据权利要求1所述的重配置线路结构的制造方法,其特征在于其中形成导线层的步骤包括:
在该第一球底金属材料层上形成一第二图案化光阻层,且该第二图案化光阻层具有多个第三开口,分别暴露出上述第一凸块上方的该第一球底金属材料层;
在上述第二开口内形成上述导线层;以及
移除该第二图案化光阻层。
3.根据权利要求1所述的重配置线路结构的制造方法,其特征在于其中在形成导线层之后,更包括在上述导线层上形成多个第二凸块。
4.根据权利要求3所述的重配置线路结构的制造方法,其特征在于其中形成上述第二凸块的步骤包括:
在该球底金属材料层与部分上述导线层上形成一第三图案化光阻层,且该第三图案化光阻层具有多个第四开口,分别暴露出部分上述导线层;
在上述第四开口内形成上述第二凸块;以及
移除该第三图案化光阻层。
5.根据权利要求3所述的重配置线路结构的制造方法,其特征在于其中上述第二凸块的材质包括金。
6.根据权利要求1所述的重配置线路结构的制造方法,其特征在于其中上述导线层的材质包括铜。
7.根据权利要求1所述的重配置线路结构的制造方法,其特征在于其中上述第一凸块的材质包括铝。
8.根据权利要求1所述的重配置线路结构的制造方法,其特征在于其中上述接垫与上述第一凸块的材质不同时,在形成该第一图案化光阻层之前,更包括在该保护层上形成一第二球底金属层,以覆盖上述第一开口所暴露出的上述接垫。
9.一种重配置线路结构,适于配置于一基板上,该基板具有一接垫与一保护层,其中该保护层具有一开口,且该开口暴露出该接垫的一部分,其特征在于该重配置线路结构包括:
一第一凸块,配置于该开口内,并与该接垫电性连接;
一图案化光阻层,配置于该保护层上,并暴露出该第一凸块;
一球底金属层,配置于该第一凸块与部分该图案化光阻层上;以及
一导线层,配置于该球底金属层上。
10.根据权利要求9所述的重配置线路结构,其特征在于其中该第一凸块的面积小于该开口的面积。
11.根据权利要求9所述的重配置线路结构,其特征在于其中该导线层的面积大于该第一凸块的面积。
12.根据权利要求9所述的重配置线路结构,其特征在于更包括一第二凸块,配置于该导线层上。
13.根据权利要求12所述的重配置线路结构,其特征在于其中上述第二凸块的材质包括金。
14.根据权利要求9所述的重配置线路结构,其特征在于其中上述导线层的材质包括铜。
15.根据权利要求9所述的重配置线路结构,其特征在于其中上述第一凸块的材质包括铝。
16.根据权利要求9所述的重配置线路结构,其特征在于更包括一第二球底金属层,配置于该第一开口内,并位于该接垫与该第一凸块之间。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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