[发明专利]重配置线路结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种线路结构，且特别是有关于一种重配置线路结构及其制造方法。

背景技术

近年来，随着电子产业的蓬勃发展，带动了半导体的广泛应用，因此，为因应电子产业的需求，许多关于半导体制程的技术亦相当迅速地发展中。半导体制程粗分为前段制程与后段制程，前段制程包括半导体基底(substrate)的形成例如硅单晶成长及磊晶成长(epitaxial growth)，与半导体元件制造例如金氧半导体(metal oxide semiconductor，MOS)制程、多重金属内连线(metal interconnection)等。此外，后段制程则是构装制程(packaging process)，而构装的目的在于保护晶片，避免湿气侵入晶片内及避免受到外力破坏，且构装体的对外接点可以使晶片与外界电子元件电性连接。

承上所述，构装形式约略可分为打线制程(wire bond，WB)、贴带自动接合(tape automatic bonding，TAB)制程与覆晶(flip chip，FC)制程。其中，打线制程的技术发展完整，在各种电子构装(electronic package)中均占有重要的地位。打线制程主要是利用一打线导线(wire)连接晶片的接点(connection point)与承载器(carrier)的接点，借此将晶片的电子讯号传输到外界，其中承载器例如是构装基板或导线架(lead frame)。一般而言，晶片的接点通常与承载器的接点相距不远，以利于打线制程的进行。然而，有时因为承载器的接点的位置改变，或者因应不同产品需求，造成晶片接点与承载器接点之间的距离过远，造成打线导线的强度(strength)不佳，或者造成打线导线的长度过长而有电性上的疑虑。此时，必需使用重配置制程(redistribution)，以改变晶片上对外接点的线路布局。值得一提的是，打线制程需辅助一接合力(Bonding force)，故接垫的下方区域承受相当大的冲击能量。因此，电子元件通常不会配置于接垫下方，以避免冲击能量对于晶片造成损害。如此一来，此种配置方式将增加晶片面积。

发明内容

本发明提供一种重配置线路结构的制造方法，以降低冲击能量对于晶片造成损害可能性。

本发明提供一种重配置线路结构，其具有较佳的可靠度。

本发明提出一种重配置线路结构的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供一基板，且此基板具有多个接垫与一保护层，其中保护层具有多个第一开口，且各第一开口暴露出相对应的接垫的一部分。在保护层上形成一第一图案化光阻层，其中第一图案化光阻层具有多个第二开口，且各第二开口暴露出第一接垫的一部分。在开口内形成多个第一凸块。在基板上方形成一第一球底金属材料层，以覆盖第一图案化光阻层与第一凸块。在第一凸块上方的第一球底金属材料层上形成多个导线层。以导线层为遮罩，图案化此第一球底金属材料层，以形成多个第一球底金属层。

在本发明的一实施例中，形成导线层的步骤更包括在第一球底金属材料层上形成一第二图案化光阻层，且第二图案化光阻层具有多个第三开口，其分别暴露出第一凸块上方的第一球底金属材料层。在第二开口内形成导线层。移除第二图案化光阻层。

在本发明的一实施例中，在形成导线层之后，重配置线路结构的制造方法更包括在导线层上形成多个第二凸块。

在本发明的一实施例中，形成上述第二凸块的步骤包括在第一球底金属材料层与部分导线层上形成一第三图案化光阻层，且第三图案化光阻层具有多个第四开口，其分别暴露出部分导线层。在第四开口内形成第二凸块。移除第三图案化光阻层。

在本发明的一实施例中，第二凸块的材质包括金。

在本发明的一实施例中，导线层的材质包括铜。

在本发明的一实施例中，第一凸块的材质包括铝。

在本发明的一实施例中，接垫与第一凸块的材质不同时，在形成第一图案化光阻层之前，此重配置线路结构的制造方法更包括在保护层上形成一第二球底金属层，以覆盖第一开口所暴露出的接垫。

本发明提出一种重配置线路结构，其适于配置于一基板上，且此基板具有一接垫与一保护层，其中保护层具有一开口，且开口暴露出接垫的一部分。此重配置线路结构包括一第一凸块、一图案化光阻层、一第一球底金属层与一导线层，其中第一凸块配置于开口内，并与接垫电性连接。图案化光阻层配置于保护层上，并暴露出第一凸块。第一球底金属层配置于第一凸块与部分图案化光阻层上而导线层配置于第一球底金属层上。

在本发明的一实施例中，第一凸块的面积小于开口的面积。

在本发明的一实施例中，导线层的面积大于第一凸块的面积。