[发明专利]高压驱动集成电路的静电防护结构无效
| 申请号： | 200710001222.5 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101217234A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 邓志辉;吴钧晖;张藤宝 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L23/60;H01L27/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 驱动 集成电路 静电 防护 结构 | ||
1.一种高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，包括：
限流元件，用以限制流至高压驱动集成电路的电流量，并与高压驱动集成电路的输入/出管脚端口相连接；
至少一个静电放电保护装置，用以防止静电放电所产生的大电流造成对高压驱动集成电路的破坏，并与高压驱动集成电路的输入/出管脚端口相连接；
金属氧化半导体场效晶体管，在其输出管脚附加有硅控整流器；以及
电源钳制电路，用以限制电源端输出的电流量，并串接于金属氧化半导体场效晶体管的源极与漏极端。
2.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该高压驱动集成电路的静电防护结构应用于真空荧光显示器的驱动电路中。
3.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该金属氧化半导体场效晶体管的一端还串接有电阻。
4.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该电源钳制电路为若干个串接的金属氧化半导体场效晶体管所构成。
5.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该电源钳制电路由两个的串接N沟道金属氧化半导体场效晶体管所构成。
6.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该电源钳制电路由两个串接的N沟道金属氧化半导体场效晶体管及串接在N沟道金属氧化半导体场效晶体管栅极的电阻所构成。
7.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该电源钳制电路由两个串接的N沟道金属氧化半导体场效晶体管及串接在N沟道金属氧化半导体场效晶体管栅极的电阻与电容所构成。
8.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该电源钳制电路由二阶式基材触发电路所构成。
9.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该限流元件为电阻所构成。
10.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该限流元件为将金属氧化半导体场效晶体管的栅极端予以接地，以构成该限流元件。
11.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该静电放电保护装置为关闭-P沟道金属氧化半导体场效晶体管及关闭-N沟道金属氧化半导体场效晶体管所构成。
12.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该静电放电保护装置为两个关闭-双极性晶体管所构成。
13.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该静电放电保护装置为两个二极管所构成。
14.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，该静电放电保护装置为两个硅控整流器所构成。
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