[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200710001688.5 | 申请日: | 2007-01-12 |
公开(公告)号: | CN101127333A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 宇野正;斋藤信胜 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
半导体元件,其设置在布线板的上方;
密封树脂,其构造为密封该半导体元件;以及
增强树脂,其设置在该密封树脂和该布线板的边界部分的至少一部分上。
2.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,该增强树脂沿着该密封树脂和该布线板的边界部分的周边设置。
3.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,该增强树脂设置在该密封树脂的拐角部分附近的、该密封树脂和该布线板的边界部分处。
4.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,该增强树脂设置在该密封树脂的拐角部分的、该密封树脂和该布线板的边界部分处。
5.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,该增强树脂具有在俯视图形成有凹进部分的结构。
6.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,该增强树脂的沿竖直方向的长度大于等于几十μm,且小于等于该密封树脂的厚度。
7.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,该增强树脂的沿水平方向的长度大于等于几十μm,且小于等于从该密封树脂的端部到该布线板的端部的距离。
8.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,该增强树脂由与该密封树脂的材料相同的材料制成。
9.如权利要求8所述的半导体器件,
其中,该密封树脂和该增强树脂由热固环氧树脂制成。
10.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,该增强树脂由与该密封树脂的材料不同的材料制成。
11.如权利要求10所述的半导体器件,
其中,该增强树脂由热固环氧树脂制成。
12.一种半导体器件的制造方法,该半导体器件具有通过密封树脂密封设置在布线板的上方的半导体元件的结构,该制造方法包括以下步骤:
当密封该半导体元件时,在该密封树脂和该布线板的边界部分的至少一部分处,与该密封树脂一起一次性地设置由与该密封树脂的材料相同的材料制成的增强树脂。
13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法,
其中,预先在用于通过该密封树脂密封该半导体元件的模具中形成与设置在该布线板的上方的增强树脂的外部结构相对应的结构。
14.一种半导体器件的制造方法,该半导体器件具有通过密封树脂密封设置在布线板的上方的半导体元件的结构,该制造方法包括以下步骤:
在该布线板的上方设置密封树脂并使该密封树脂成为固体之后,在该密封树脂和该布线板的边界部分的至少一部分处设置由与该密封树脂的材料不同的材料制成的增强树脂。
15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法,
其中,该增强树脂通过灌封方法设置在该布线板的上方。
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