[发明专利]芯片与承载器的接合方法有效
申请号: | 200710001892.7 | 申请日: | 2007-02-06 |
公开(公告)号: | CN101241862A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 黄祥铭;刘安鸿;李宜璋;林勇志;何淑静 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 承载 接合 方法 | ||
1. 一种芯片与承载器的接合方法,包括:
提供一晶圆,该晶圆具有多个接垫与分别配置于该些接垫上的多个凸块;
在该晶圆上形成一具有两阶特性的胶层,以包覆该些凸块;
将该具有两阶特性的胶层预固化成一部份固化的B阶胶层;
对于该晶圆进行一切割制程,以形成多个芯片;
提供一承载器,该承载器包括一基板与配置于该基板上的多个接点;以及
经由一接合制程,接合该承载器的该些接点与该芯片的该些凸块。
2. 如权利要求1所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,在提供该承载器之后,还包括在该些接点上形成一锡层或一镍金层。
3. 如权利要求2所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,在形成该锡层之后,还包括在该锡层上形成一铟层。
4. 如权利要求2所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,在形成该具有两阶特性的胶层之前,还包括在该些凸块上形成一铟层。
5. 如权利要求1所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,该接合制程包括热压合制程或超音波压合制程。
6. 如权利要求1所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,该基板为硬质基板,且该接合制程为回焊制程。
7. 如权利要求1所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,在该接合制程之后,还包括一固化制程。
8. 如权利要求7所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,该固化制程包括紫外光固化制程或热固化制程。
9. 如权利要求1所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,该些接点包括接垫或引脚。
10. 一种芯片与承载器的接合方法,包括:
提供一晶圆,该晶圆具有多个接垫与分别配置于该些接垫上的多个凸块;
在该晶圆上形成一具有两阶特性的胶层,以包覆该些凸块;
将该具有两阶特性的胶层预固化成一部份固化的B阶胶层;
对于该晶圆进行一切割制程,以形成多个芯片;
提供一承载器,该承载器包括一软性基板与配置于该基板上的多个引脚;以及
经由一接合制程,接合该承载器的该些引脚与该芯片的该些凸块。
11. 如权利要求10所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,在提供该承载器之后,还包括在该些引脚上形成一锡层或一镍金层。
12. 如权利要求11所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,在形成该锡层之后,还包括在该锡层上形成一铟层。
13. 如权利要求11所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,在形成该具有两阶特性的胶层之前,还包括在该些凸块上形成一铟层。
14. 如权利要求10所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,该接合制程包括热压合制程或超音波压合制程。
15. 如权利要求10所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,在该接合制程之后,还包括一固化制程。
16. 如权利要求15所述的芯片与承载器的接合方法,其特征在于,该固化制程包括紫外光固化制程或热固化制程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造