[发明专利]芯片与承载器的接合方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种接合方法，且特别是有关于一种芯片与承载器的接合方法。

背景技术

近年来，随着半导体制程技术的不断成熟与发展，各种高效能的电子产品不断推陈出新，而集成电路(Integrated Circuit，IC)元件的集成度(integration)也不断提高。在集成电路元件的封装制程中，集成电路封装(IC packaging)扮演着相当重要的角色，而集成电路封装型态可大致区分为打线接合封装(wirebonding packaging，WB packaging)、贴带自动接合封装(tape automatic bondingpackaging，TAB packaging)与覆晶接合封装(flip chip packaging，FC packaging)等型式，且每种封装形式均具有其特殊性与应用领域。

对于贴带自动接合封装与覆晶接合封装技术而言，两技术所采用的芯片均具有凸块，以便于电性连接至一承载器(carrier)。然而，芯片上的接垫与接垫之间常有杂质附着，甚至导致接垫间产生电性短路。此外，此承载器与芯片之间通常需额外的保护，以免两者电性断路。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种芯片与承载器的接合方法，以增加芯片的凸块与承载器的接点之间的接合可靠度。

本发明提出一种芯片与承载器的接合方法，其包括下列步骤。首先，提供一晶圆，且此晶圆具有多个接垫与分别配置于接垫上的多个凸块。在晶圆上形成一具有两阶特性的胶层，以包覆凸块。将此具有两阶特性的胶层预固化(pre-cure)成一部分固化(partially cured)的B阶胶层。对于晶圆进行一切割制程，以形成多个芯片。提供一承载器，而此承载器包括一基板与配置于基板上的多个接点。经由一接合制程，接合承载器的接点与芯片的凸块。

在本发明一实施例中，在提供承载器之后，芯片与承载器的接合方法还包括在接点上形成一锡层或一镍金层。

在本发明一实施例中，在形成锡层之后，芯片与承载器的接合方法还包括在锡层上形成一铟层。

在本发明一实施例中，在形成具有两阶特性的胶层之前，芯片与承载器的接合方法还包括在凸块上形成一铟层。

在本发明一实施例中，接合制程包括热压合制程或超音波压合制程。

在本发明一实施例中，基板为硬质基板，且接合制程为回焊制程(reflowprocess)。

在本发明一实施例中，在接合制程之后，芯片与承载器的接合方法还可包括一固化制程。

在本发明一实施例中，固化制程包括紫外光固化制程或热固化制程。

在本发明一实施例中，接点包括接垫(pad)或引脚(lead)。

本发明提出一种芯片与承载器的接合方法，其包括下列步骤。首先，提供一晶圆，且此晶圆具有多个接垫与分别配置于接垫上的多个凸块。在晶圆上形成一具有两阶特性的胶层，以包覆凸块。将此具有两阶特性的胶层预固化(pre-cure)成一部份固化(partially cured)的B阶胶层。对于晶圆进行一切割制程，以形成多个芯片。提供一承载器，而此承载器包括一软性基板与配置于基板上的多个引脚。经由一接合制程，接合承载器的引脚与芯片的凸块。

在本发明一实施例中，在提供承载器之后，芯片与承载器的接合方法还包括在引脚上形成一锡层或一镍金层。

在本发明一实施例中，在形成锡层之后，芯片与承载器的接合方法还包括在锡层上形成一铟层。

在本发明一实施例中，在形成具有两阶特性的胶层之前，芯片与承载器的接合方法还包括在凸块上形成一铟层。

在本发明一实施例中，接合制程包括热压合制程或超音波压合制程。

在本发明一实施例中，在接合制程之后，芯片与承载器的接合方法还可包括一固化制程。

在本发明一实施例中，固化制程包括紫外光固化制程或热固化制程。

基于上述，由于本发明在晶圆切割制程之前，在晶圆上形成一具有两阶特性的胶层，并将此具有两阶特性的胶层预固化成一部份固化的B阶胶层，因此芯片上便不易附着杂质，以降低两相邻接垫之间或凸块之间因此杂质而产生电性短路的可能性。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1C是依照本发明第一实施例的一种芯片与承载器的接合方法的剖面图。

图2A至图2C是依照本发明第二实施例的一种芯片与承载器的接合方法的剖面图。