[发明专利]非易失性存储单元以及存储器系统

权利要求书

1.一种非易失性存储单元，包括：

一电阻形式存储元件，具有一电极层；

多个晶体管，分别耦接于不同的编程线，其中所述各晶体管具有一栅极节点耦接至所述电极层，使得所述各晶体管由一字符线所控制，其中所述各晶体管还包括一源极节点和一漏极节点，以及所述各晶体管的所述源极节点被耦接至一接地信号节点，而所述各晶体管的所述漏极节点被耦接至不同的编程线；以及

一参考晶体管，包括一参考漏极节点以及一参考源极节点，其中所述参考漏极节点与所述参考源极节点之一被耦接至所述电极层，以及所述参考晶体管由一位线所控制。

2.如权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述电阻形式存储元件包括一磁阻式存储装置。

3.一种非易失性存储单元，包括：

一电阻形式存储元件，包括：一第一电极导体；一第二电极导体；以及一阻抗存储装置，位于所述第一电极导体以及所述第二电极导体之间；

一第一导线，电性耦接至所述第一电极导体；

一第一以及第二晶体管，各包括一栅极节点、一源极节点以及一漏极节点，其中所述各晶体管的所述栅极节点被电性耦接至所述第二电极导体；以及

一第二以及第三导线，其中所述第二导线被电性连接至所述第一晶体管的所述漏极节点，以及所述第三导线被电性连接至所述第二晶体管的所述漏极节点，其中所述第一晶体管的所述源极节点耦接于所述第二晶体管的所述源极节点。

4.如权利要求3所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述阻抗存储装置包括一磁阻式存储装置。

5.如权利要求3所述的非易失性存储单元，其特征在于，还包括一参考晶体管，其中所述参考晶体管的漏极节点耦接于所述第二电极导体，以及所述参考晶体管的源极节点耦接于一接地信号节点。