[发明专利]转印自组装的虚拟图案至基板的方法无效
申请号: | 200710005226.0 | 申请日: | 2007-02-12 |
公开(公告)号: | CN101187776A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 文载寅 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/00;G06F17/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组装 虚拟 图案 至基板 方法 | ||
1.一种转印图案至基板的方法,包含:
设计将被转印至所述基板的电路布图;
得到所述电路布图的逆布图;
缩小所述逆布图的尺寸,由此得到缩小布图;
得到虚拟图案布图,其中所述虚拟图案布图具有对应于所述缩小布图外形的外形并具有给定线宽使得所述虚拟图案布图自组装至所述电路布图;以及
组合所述虚拟图案布图与所述电路布图。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
转印所述电路布图至所述基板。
3.如权利要求1所述的方法,还包括:
转印所述组合的布图至所述基板。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述电路布图设计为存储器的金属线的布图,其中所述基板为半导体基板。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述电路布图设计为构成闪存装置的页面缓冲电路的位线的布图。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述电路布图设计为用于线连接结构的连接接触的配置布图。
7.如权利要求1所述的方法,还包括:
将所述逆布图缩小一缩小宽度,该缩小宽度大于所述缩小布图的缩小宽度,由此得到第二缩小布图;
得到第二虚拟图案布图,其中所述虚拟图案布图具有对应于所述第二缩小布图外形的外形并具有给定线宽使得所述第二虚拟图案布图比所述第一虚拟图案与所述电路布图分隔得更远;以及
组合所述第二虚拟图案布图与所述电路布图。
8.如权利要求1所述的方法,还包括:
转印所述组合的布图至光掩模基板,由此形成光掩模;以及
使用所述光掩模执行曝光工艺,由此转印所述组合的布图至基板。
9.如权利要求8所述的方法,其中在包含对称照明或非对称照明的曝光条件下执行所述曝光工艺。
10.如权利要求8所述的方法,其中所述光掩模包含二元掩模或相移掩模。
11.一种转印图案至基板的方法,包含:
设计具有电路图案的电路布图,所述电路图案定义一开放区;
得到所述电路布图的逆布图;
将所述逆布图缩小第一缩小宽度,由此得到第一缩小布图;
将所述第一缩小布图缩小第二缩小宽度,由此得到第二缩小布图;
从所述第一缩小布图扣除所述第二缩小布图,由此得到自组装虚拟图案布图;
组合所述虚拟图案布图与所述电路布图,所述虚拟图案布图定义于由所述电路图案定义的开放区中;以及
转印所述组合的布图至基板。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述组合布图所转印到的基板为半导体基板。
13.如权利要求11所述的方法,其中所述组合布图所转印到的基板为光掩模基板。
14.如权利要求11所述的方法,其中所述电路布图设计为构成闪存装置的页面缓冲电路的位线的布图。
15.如权利要求11所述的方法,还包括:
将所述第二缩小布图缩小第三缩小宽度,由此得到第三缩小布图;
将所述第三缩小布图缩小第四缩小宽度,由此得到第四缩小布图;
从所述第三缩小布图扣除所述第四缩小布图,由此得到第二虚拟图案布图;以及
组合所述第二虚拟图案布图与所述电路布图。
16.如权利要求11所述的方法,还包含:
将所述逆布图缩小一缩小宽度,该缩小宽度大于所述第二缩小宽度,由此得到第二缩小布图;
得到第二虚拟图案布图,其具有对应所述第三缩小布图外形的外形并具有给定线宽,使得所述第二虚拟图案布图比所述第一虚拟图案与所述电路布图分隔得更远;以及
组合所述第二虚拟图案布图与所述电路布图。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备