[发明专利]半导体装置与动态随机存取存储器的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

提供基板；

于该基板内形成凹陷区与非凹陷区，该凹陷区具有位于该凹陷区的对应侧的第一侧与第二侧；

于该基板上形成第一晶体管，该第一晶体管沿该凹陷区的第一侧而设置于该基板上，该第一晶体管具有第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区，该第一源极/漏极区位于该凹陷区内，而该第二源极/漏极区位于该非凹陷区内；

形成位线，该位线耦接于该第一源极/漏极区；以及

形成第一存储装置，该第一存储装置电连接于该第二源极/漏极区。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该凹陷区具有介于150～2000埃的深度。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一存储装置为电容器。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中该电容器为金属-绝缘物-金属电容器。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括下列步骤：

形成第二晶体管于该基底上，该第二晶体管沿着该凹陷区的第二侧而设置于该基底上，该第二晶体管与该第一晶体管分享该第一源极/漏极区，且该第二晶体管具有位于该非凹陷区内的第三源极漏极区。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，还包括形成第二存储装置，以电连接于该第三源极/漏极区的步骤。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中该第二存储装置为电容器。

8.一种动态随机存取存储器的制造方法，包括下列步骤：

提供基板；于该基板上形成凹陷区与非凹陷区，该凹陷区具有位于该凹陷区对称侧的第一侧壁以及第二侧壁；

沿该第一侧壁形成第一晶体管，该第一晶体管具有第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区，该第一源极/漏极区位于该凹陷区内，而该第二源极/漏极区位于该非凹陷区内；

沿该第二侧壁形成第二晶体管，该第二晶体管与该第一晶体管共享该第一源极/漏极区，而该第二晶体管位于该非凹陷区内的具有第三源极/漏极区；

形成位线，以耦接于该第一源极/漏极区；

形成第一电容器，以耦接该第二源极/漏极区；以及

形成第二电容器，以耦接该第三源极/漏极区。

9.如权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中该凹陷区具有介于150～2000埃的深度。

10.如权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中该第一电容器与该第二电容器为金属-绝缘物-金属电容器。