[发明专利]互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法及其结构

权利要求书

1. 一种制作应变硅沟道的互补式金属氧化物半导体晶体管的方法，包含有：

提供一基底，且该基底具有用以制备第一晶体管的至少一第一有源区域、用以制备第二晶体管的至少一第二有源区域、以及位于该第一有源区域和该第二有源区域之间的绝缘结构；

在该第一有源区域上形成至少一第一栅极结构，并且在该第二有源区域上形成至少一第二栅极结构；

形成该第一晶体管的源极与漏极区域，与该第二晶体管的源极与漏极区域；

在该绝缘结构、该第一有源区域与该第二有源区域上形成一第一应力层；

在该第一应力层上形成停止层；

在该第一有源区域上的该第一应力层上的该停止层上形成第一掩模层；

去除该第二有源区域上的该停止层与该第一应力层；

移除该第一掩模层；

在该第一有源区域上的该停止层、部分的该绝缘结构、与该第二有源区域上形成第二应力层；

在该第二应力层上形成第一介电层；以及

进行平坦化工艺，磨平该第一介电层与该停止层上的部分该第二应力层，直到暴露出该停止层。

2. 如权利要求1所述的方法，其中在进行该平坦化工艺以暴露出该停止层之后还包含有：

在该第一介电层、该第一有源区域上的该停止层与该第一应力层上形成第二介电层；以及

进行接触插塞工艺，以形成至少一接触插塞。

3. 如权利要求1所述的方法，其中该第一栅极结构还包含有：

第一栅极介电层；

第一栅极，位于该第一栅极介电层上，且该第一栅极具有一侧壁；以及

第一间隙壁，位于该第一栅极的该侧壁上。

4. 如权利要求1所述的方法，其中该第二栅极结构还包含有：

第二栅极介电层；

第二栅极，位于该第二栅极介电层上，且该第二栅极具有一侧壁；以及

第二间隙壁，位于该第二栅极的该侧壁上。

5. 如权利要求1所述的方法，其中该第一晶体管包含有P型金属氧化物半导体晶体管，且该第二晶体管包含有N型金属氧化物半导体晶体管。

6. 如权利要求5所述的方法，其中该第一应力层为压缩应力状态的接触蚀刻停止层，而该第二应力层为伸张应力状态的接触蚀刻停止层。

7. 如权利要求1所述的方法，其中该第一晶体管包含有N型金属氧化物半导体晶体管，且该第二晶体管包含有P型金属氧化物半导体晶体管。

8. 如权利要求7所述的方法，其中该第一应力层为伸张应力状态的接触蚀刻停止层，而该第二应力层为压缩应力状态的接触蚀刻停止层。

9. 如权利要求1所述的方法，其中该平坦化工艺包含有化学机械抛光工艺或计时模式的化学机械抛光工艺。

10. 如权利要求1所述的方法，其中在该绝缘结构、该第一有源区域与该第二有源区域上形成该第一应力层之前还包含有：

在该绝缘结构、该第一有源区域与该第二有源区域上形成缓冲层。

11. 一种制作应变硅沟道的互补式金属氧化物半导体晶体管的方法，包含有：

提供一基底，且该基底具有用以制备第一晶体管的至少一第一有源区域、用以制备一第二晶体管的至少一第二有源区域、以及位于该第一有源区域和该第二有源区域之间的绝缘结构；

在该第一有源区域上方形成至少一第一栅极结构，以及在该第二有源区域上方形成至少一第二栅极结构；

形成该第一晶体管的源极与漏极区域，与该第二晶体管的源极与漏极区域；

在该绝缘结构、该第一有源区域与该第二有源区域上形成第一应力层；

在该第一有源区域上的该第一应力层上形成第一掩模层；

去除该第二有源区域上的该第一应力层；

移除该第一掩模层；

在该第一有源区域上的该第一应力层、部分的该绝缘结构、与该第二有源区域上形成第二应力层；

在该第二应力层上形成第一介电层；以及

进行平坦化工艺，磨平该第一介电层、该第一应力层上的部分该第二应力层，直到暴露出该第一应力层。