[发明专利]用于半导体器件的绝缘膜沉积方法

权利要求书

1、一种用于半导体器件的薄膜沉积方法，包括：

将用于薄膜沉积的工艺气体注入到工艺室中；

在注入所述工艺气体的同时在所述工艺室内部形成等离子体气氛，以在半导体基底上沉积薄膜，通过所述工艺气体和所述等离子体之间的反应来形成所述薄膜。

2、如权利要求1所述的薄膜沉积方法，其中，所述工艺气体包括正硅酸四乙酯化学品。

3、如权利要求2所述的薄膜沉积方法，其中，所述等离子体是由氧源形成的氧等离子体。

4、如权利要求3所述的薄膜沉积方法，其中，所述薄膜是通过氧自由基和所述正硅酸四乙酯化学品的化学结合形成的等离子体增强的正硅酸四乙酯膜。

5、如权利要求4所述的薄膜沉积方法，其中，所述工艺气体以气相被注入到所述工艺室中。

6、如权利要求1所述的薄膜沉积方法，其中，所述工艺气体之一的注入一开始，或者完成所述工艺气体注入之后，就在所述工艺室的内部形成所述等离子体气氛。

7、一种用于半导体器件绝缘膜沉积方法，包括：

将第一工艺气体注入到其中放置有半导体基底的工艺室中；

将第二工艺气体注入到所述第一工艺气体流入的所述工艺室中；

在注入所述第二工艺气体的同时在所述工艺室的内部形成包括作为源气体的所述第一工艺气体的等离子体气氛，以通过所述第一工艺气体等离子体和所述第二工艺气体之间的反应在所述半导体基底上沉积绝缘膜。

8、如权利要求7所述的绝缘膜沉积方法，其中，所述第一工艺气体是氧。

9、如权利要求8所述的绝缘膜沉积方法，其中，所述第二工艺气体包括含有硅的化学品。

10、如权利要求9所述的绝缘膜沉积方法，其中，所述第二工艺气体包括正硅酸四乙酯化学品。

11、如权利要求10所述的绝缘膜沉积方法，其中，所述绝缘膜是通过氧自由基和所述正硅酸四乙酯化学品的化学结合形成的等离子体增强的正硅酸四乙酯膜。

12、如权利要求11所述的绝缘膜沉积方法，其中，所述第二工艺气体以气相被注入到所述工艺室中。

13、如权利要求12所述的绝缘膜沉积方法，其中，在将所述第二工艺气体注入到所述工艺室中之前，所述第二工艺气体被加热单元加热，以转化成气相。

14、如权利要求13所述的绝缘膜沉积方法，其中，将所述第一工艺气体以大约1100标准毫升/分注入到所述工艺室中。

15、如权利要求14所述的绝缘膜沉积方法，其中，将所述第二工艺气体以大约0至大约3000标准毫升/分的范围注入到所述工艺室中。

16、如权利要求15所述的绝缘膜沉积方法，其中，将所述第二工艺气体以大约2400标准毫升/分注入到所述工艺室中。

17、如权利要求16所述的绝缘膜沉积方法，其中，通过向上电极和下电极分别施加大约350瓦和大约700瓦的射频功率，并保持大约2.0托的压力和大约300℃至大约400℃的温度，来形成所述等离子体。

18、如权利要求7所述的绝缘膜沉积方法，其中，所述第二工艺气体之一的注入一开始，或者完成所述第二工艺气体注入之后，就在所述工艺室的内部形成所述等离子体气氛。

19、如权利要求7所述的绝缘膜沉积方法，其中，在将所述半导体基底放置到所述工艺室中之前，将所述第一工艺气体注入到所述工艺室中。

20、一种用于半导体器件的绝缘膜沉积方法，包括：

将形成等离子体的氧注入到其中放置有半导体基底的工艺室中；

将含有硅的工艺气体注入到氧流入的所述工艺室中；

在注入所述工艺气体的同时通过向所述工艺室施加射频功率来形成氧等离子体；

通过所述工艺气体中的硅和氧的化学反应在所述半导体基底上沉积氧化硅膜。