[发明专利]用于清洁离子注入机的静电吸盘的装置

说明书

本申请要求于2006年5月16日提交的第10-2006-0043733号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用全部包含于此。

                        技术领域

本发明涉及一种离子注入机，更具体地讲，涉及一种能够去除吸入到静电吸盘中的颗粒的静电吸盘清洁装置，用于防止在半导体制造设备的离子注入工艺中的晶片降落。

                        背景技术

通常，离子注入工艺包括在半导体晶体的表面将诸如具有三个价电子的P型杂质(如，硼、铝、铟)或具有五个价电子的N型杂质(如，锑、磷、砷)引入到半导体晶体中，以使其电子特性改性。

在第5,475,618号美国专利中描述了用于执行上述离子注入工艺的离子注入机。因为在制造高度集成的半导体装置过程中，可以将杂质的密度控制在大约10E14至大约10E18原子/cm³的范围内，所以上面提到的离子注入机广泛地用于这些半导体装置。此外，与采用其它的杂质注入技术(例如扩散技术)时相比，采用离子注入比较容易控制杂质的密度。因此，与其它的注入技术相比，采用离子注入得到的离子注入的深度会更为精确。

图1是传统离子注入机的框图。

参照图1，下面将描述传统离子注入机的构造。

在图1中，离子源室10产生离子束。束线室12由产生的离子形成注入离子束。端站14执行离子束对晶片的离子注入。第一真空进片室(loadlockchamber)22和第二真空进片室24将用于离子注入的晶片传送到端站14，或者从端站14中取出完成离子注入的晶片。第一隔离阀18和第二隔离阀20分别使端站14与第一真空进片室22和第二真空进片室24隔离。第一涡轮泵30和第二涡轮泵31抽气，以保持第一真空进片室22和第二真空进片室24内的高真空。第三隔离阀23安装在第一真空进片室22和第一涡轮泵30之间，以使第一真空进片室22与第一涡轮泵30隔离，第四隔离阀25安装在第二真空进片室24和第二涡轮泵31之间，以使第二真空进片室24与第二涡轮泵31隔离。真空泵38对第一涡轮泵30和第二涡轮泵31的抽真空操作起辅助作用，并执行抽气操作，以保持第一真空进片室22和第二真空进片室24内的真空。第一初级阀(roughing valve)26和第二初级阀28安装在连接到第一真空进片室22和第二真空进片室24的真空管路上，切换第一初级阀26和第二初级阀28以使第一真空进片室22和第二真空进片室24从常压状态形成为真空状态。第三初级阀32和第四初级阀34接通或断开第一涡轮泵30和第二涡轮泵31的真空管路。低温泵(cyro-pump)16执行抽气操作，以均匀地保持端站14内的高真空的压力。第五初级阀36连接到真空泵38，切换第五初级阀36以使其能够对第一涡轮泵30、第二涡轮泵31和低温泵16的真空管路进行初步抽气。

下面将参照图1描述传统离子注入机的操作。

为了将加载在第一真空进片室22和第二真空进片室24内的晶片传送到具有高真空状态的端站14，应当将具有常压状态的第一真空进片室22和第二真空进片室24改变成与端站14相同的高真空状态。

首先，为了使第一真空进片室22能够处于高真空状态，控制器(未示出)打开安装在真空管路上的第一初级阀26，并关闭第二初级阀28和关闭第五初级阀36。接着，控制器驱动真空泵38以将具有常压状态的第一真空进片室22的压力降低至例如10^-3托。真空泵38不能将第一真空进片室22的压力降低到与端站14的压力相同的压力，因此，利用第一涡轮泵30保持第一真空进片室22的高真空。当第一真空进片室22的压力降至10^-3托时，控制器关闭第一初级阀26，并打开第三隔离阀23、第三初级阀32和第五初级阀36。控制器驱动第一涡轮泵30，并执行抽气操作，使得第一真空进片室22的压力变为例如10^-4托。然后，当第一真空进片室22的压力变得与端站14的压力相同时，第一隔离阀18打开，这样加载在第一真空进片室22内的晶片被传送到端站14内。当在端站14内执行对晶片的离子注入的同时，驱动低温泵16以均匀地保持端站14的压力。