[发明专利]半导体装置及半导体封装结构有效
申请号: | 200710005832.2 | 申请日: | 2007-02-25 |
公开(公告)号: | CN101110401A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 卢思维;邹觉伦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L25/00;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 结构 | ||
1.一种半导体装置,包括:
半导体基板,具有上表面与下表面,该上表面包含至少一装置区;
至少一沟槽,从该基板下表面穿过该基板,并连接至该装置区;
导电层,填入部分该沟槽;以及
粘着层,沉积于该导电层上,并填满该沟槽。
2.如权利要求1所述的半导体装置,还包括引脚架,通过该粘着层与该基板下表面连接。
3.如权利要求1所述的半导体装置,还包括至少一伪沟槽,从该基板下表面至少穿过部分该基板,其中该导电层填入部分该伪沟槽,该粘着层填满该伪沟槽。
4.如权利要求2所述的半导体装置,还包括:
内连线结构,形成于该装置区上;
至少一焊盘,形成于该内连线结构上,并与该沟槽电连接;
第二半导体基板,具有上表面与下表面,该上表面包含至少一装置区,该第二半导体基板设置于该内连线结构上;
至少一沟槽,从该第二半导体基板下表面穿过该第二半导体基板,并连接至该第二半导体基板的装置区;以及
第二导电层,填入穿过该第二半导体基板的至少一沟槽,其中该焊盘与该第二导电层电连接。
5.如权利要求4所述的半导体装置,还包括第二粘着层,设置于该焊盘与该第二导电层之间。
6.如权利要求5所述的半导体装置,还包括至少一伪沟槽,至少穿过部分该第二半导体基板,该第二粘着层至少填入部分该至少之一伪沟槽。
7.如权利要求1所述的半导体装置,还包括内连线结构,形成于该装置区上,其中该导电层与该内连线结构电连接。
8.如权利要求2所述的半导体装置,还包括:
内连线结构,形成于该装置区上;以及
导线,穿过该基板,该引脚架的输入/输出端口通过该导线与一部分该内连线结构电连接。
9.一种半导体装置,包括:
半导体基板,具有上表面与下表面,该上表面包含至少一装置区;
至少一伪沟槽,从该基板下表面至少穿过部分该基板;
引脚架;以及
粘着层,设置于该基板下表面与该引脚架之间。
10.如权利要求9所述的半导体装置,还包括第二物质层,设置于该伪沟槽内,该粘着层设置于该第二物质层上。
11.如权利要求10所述的半导体装置,其中该第二物质层填入部分该伪沟槽,该粘着层填满该伪沟槽。
12.如权利要求11所述的半导体装置,其中该第二物质层包括铜,该粘着层包括软焊料或包含银的导电膏。
13.如权利要求9所述的半导体装置,其中该粘着层至少填入部分该伪沟槽。
14.如权利要求9所述的半导体装置,还包括:
内连线结构,形成于该半导体基板的装置区上;
第二半导体基板,具有上表面与下表面,该上表面包含第二装置区,该第二半导体基板设置于该内连线结构上;
至少一伪沟槽,至少穿过部分该第二半导体基板;以及
第二粘着层,设置于该第二半导体基板的下表面与该内连线结构之间,该第二粘着层至少填入该第二半导体基板的部分伪沟槽。
15.一种半导体封装结构,包括:
第一芯片,包含具有上表面与下表面的第一半导体基板,该上表面包含至少一装置区,至少一沟槽,通过该半导体基板与该装置区连接,且该沟槽包含至少一导电层,至少一伪沟槽,定义于该半导体基板中;
引脚架,通过该导电层与该第一芯片连接;以及
第二芯片,设置于该第一芯片上,并通过该第一芯片与该引脚架电连接。
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