[发明专利]半导体装置及半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 200710005832.2 申请日: 2007-02-25
公开(公告)号: CN101110401A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 卢思维;邹觉伦 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L25/00;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

半导体基板,具有上表面与下表面,该上表面包含至少一装置区;

至少一沟槽,从该基板下表面穿过该基板,并连接至该装置区;

导电层,填入部分该沟槽;以及

粘着层,沉积于该导电层上,并填满该沟槽。

2.如权利要求1所述的半导体装置,还包括引脚架,通过该粘着层与该基板下表面连接。

3.如权利要求1所述的半导体装置,还包括至少一伪沟槽,从该基板下表面至少穿过部分该基板,其中该导电层填入部分该伪沟槽,该粘着层填满该伪沟槽。

4.如权利要求2所述的半导体装置,还包括:

内连线结构,形成于该装置区上;

至少一焊盘,形成于该内连线结构上,并与该沟槽电连接;

第二半导体基板,具有上表面与下表面,该上表面包含至少一装置区,该第二半导体基板设置于该内连线结构上;

至少一沟槽,从该第二半导体基板下表面穿过该第二半导体基板,并连接至该第二半导体基板的装置区;以及

第二导电层,填入穿过该第二半导体基板的至少一沟槽,其中该焊盘与该第二导电层电连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置,还包括第二粘着层,设置于该焊盘与该第二导电层之间。

6.如权利要求5所述的半导体装置,还包括至少一伪沟槽,至少穿过部分该第二半导体基板,该第二粘着层至少填入部分该至少之一伪沟槽。

7.如权利要求1所述的半导体装置,还包括内连线结构,形成于该装置区上,其中该导电层与该内连线结构电连接。

8.如权利要求2所述的半导体装置,还包括:

内连线结构,形成于该装置区上;以及

导线,穿过该基板,该引脚架的输入/输出端口通过该导线与一部分该内连线结构电连接。

9.一种半导体装置,包括:

半导体基板,具有上表面与下表面,该上表面包含至少一装置区;

至少一伪沟槽,从该基板下表面至少穿过部分该基板;

引脚架;以及

粘着层,设置于该基板下表面与该引脚架之间。

10.如权利要求9所述的半导体装置,还包括第二物质层,设置于该伪沟槽内,该粘着层设置于该第二物质层上。

11.如权利要求10所述的半导体装置,其中该第二物质层填入部分该伪沟槽,该粘着层填满该伪沟槽。

12.如权利要求11所述的半导体装置,其中该第二物质层包括铜,该粘着层包括软焊料或包含银的导电膏。

13.如权利要求9所述的半导体装置,其中该粘着层至少填入部分该伪沟槽。

14.如权利要求9所述的半导体装置,还包括:

内连线结构,形成于该半导体基板的装置区上;

第二半导体基板,具有上表面与下表面,该上表面包含第二装置区,该第二半导体基板设置于该内连线结构上;

至少一伪沟槽,至少穿过部分该第二半导体基板;以及

第二粘着层,设置于该第二半导体基板的下表面与该内连线结构之间,该第二粘着层至少填入该第二半导体基板的部分伪沟槽。

15.一种半导体封装结构,包括:

第一芯片,包含具有上表面与下表面的第一半导体基板,该上表面包含至少一装置区,至少一沟槽,通过该半导体基板与该装置区连接,且该沟槽包含至少一导电层,至少一伪沟槽,定义于该半导体基板中;

引脚架,通过该导电层与该第一芯片连接;以及

第二芯片,设置于该第一芯片上,并通过该第一芯片与该引脚架电连接。

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