[发明专利]制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法

权利要求书

1. 一种制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法，该方法包含有下列步骤：

提供半导体基底，该半导体基底具有用以制备第一晶体管的第一有源区域、至少一个用以制备第二晶体管的第二有源区域、以及绝缘结构设于该第一有源区域与该第二有源区域之间；

分别形成该第一晶体管的源极与漏极区域与该第二晶体管的源极与漏极区域；

依序形成第一蚀刻停止层、第一应力层及第二蚀刻停止层，并覆盖于该第一晶体管、该第二晶体管及该绝缘结构；

形成第一图案化光刻胶层于该第一有源区域的该第二蚀刻停止层上；

进行第一蚀刻工艺，去除该第二有源区域的该第二蚀刻停止层与部分该第一应力层；

移除该第一图案化光刻胶层；以及

进行第二蚀刻工艺，利用该第一有源区域的该第二蚀刻停止层当作掩模去除该第二有源区域剩余的该第一应力层。

2. 如权利要求1所述的方法，其中该第一晶体管包含N型金属氧化物半导体晶体管，且该第二晶体管包含P型金属氧化物半导体晶体管。

3. 如权利要求1所述的方法，其中该第一应力层为高张应力薄膜。

4. 如权利要求1所述的方法，其中该方法另包含利用氟甲烷来控制该第二蚀刻工艺的强度。

5. 如权利要求1所述的方法，其中该方法于形成该第一晶体管的该源极与漏极区域与该第二晶体管的该源极与漏极区域后另包含：

覆盖金属层于该第一晶体管与该第二晶体管表面；

进行快速升温退火工艺，以于该第一晶体管与该第二晶体管上形成硅化金属层；以及

去除未反应的该金属层。

6. 如权利要求5所述的方法，其中该方法于进行该第二蚀刻工艺后另包含：

形成第二应力层，并覆盖于该第一有源区域的该第二蚀刻停止层及该第二有源区域的该第二晶体管的第一蚀刻停止层上；

形成第三蚀刻停止层于该第二应力层表面；

形成第二图案化光刻胶层于该第二有源区域的该第三蚀刻停止层上；

进行第三蚀刻工艺，去除该第一有源区域的该第三蚀刻停止层与部分该第二应力层；

移除该第二图案化光刻胶层；以及

进行第四蚀刻工艺，利用该第二有源区域的该第三蚀刻停止层当作掩模去除该第一有源区域剩余的该第二应力层及第一有源区域与第二有源区域交界处的第二应力层，使该第二应力层与该第一应力层之间具有一距离。

7. 如权利要求6所述的方法，其中该方法另包含利用氟甲烷来控制该第四蚀刻工艺的强度。

8. 如权利要求6所述的方法，其中该第二应力层为高压应力薄膜。

9. 如权利要求6所述的方法，其中该方法于进行该第四蚀刻工艺时另包含去除部分覆盖于第二有源区域的第一蚀刻停止层直至该第一蚀刻停止层剩约20埃。

10. 如权利要求6所述的方法，其中该方法于进行该第四蚀刻工艺后另包含：

覆盖介电层于该第二蚀刻停止层与该第三蚀刻停止层表面；以及

进行蚀刻工艺，去除部分该介电层、该第二蚀刻停止层、该第三蚀刻停止层、该第一应力层、该第二应力层及该第一蚀刻停止层，以于该介电层中形成多个接触洞。

11. 如权利要求5所述的方法，其中该方法于进行该第二蚀刻工艺后另包含：

形成第二应力层于该第一有源区域的该第二蚀刻停止层及该第二有源区域的该第二晶体管的第一蚀刻停止层上；以及

进行第三蚀刻工艺，去除该第一有源区域的该第二应力层及该第一有源区域与该第二有源区域交界处的第二应力层，使该第二应力层与该第一应力层之间具有一距离。