[发明专利]形成半导体器件的隔离层的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的隔离层的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的隔离区内形成第一沟槽；

在每一所述第一沟槽的侧壁上形成间隔体；

在所述隔离区内，在每一所述第一沟槽下方形成第二沟槽，其中，每一所述第二沟槽窄于并深于对应的第一沟槽；

在每一所述第二沟槽的侧壁和底面上形成第一氧化物层；以及

以绝缘层填充所述第一沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过根氧化工艺形成所述第一氧化物层，其中，采用每一间隔体作为掩模形成对应的第二沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第一沟槽之后，在每一所述第一沟槽的侧壁和底面上形成第二氧化物层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过根氧化工艺形成所述第二氧化物层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括蚀刻每一所述间隔体，从而加宽每一所述间隔体的相对侧之间的距离，其中，在形成所述第二沟槽之后执行所述蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第二沟槽之后去除所述间隔体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，以所述第一沟槽和对应的所述第二沟槽的总深度的大约1/6到大约1/3的深度形成每一所述第一沟槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层由下述材料之一形成：玻璃上硅、高密度等离子体氧化物、等离子体增强氧化物、O₃-四乙基原硅酸酯或其任意组合

9.根据权利要求1所述的方法，还包括通过蚀刻所述绝缘层，使所述绝缘层保留于所述隔离区内。

10.一种形成半导体器件的隔离层的方法，所述方法包括：

在半导体衬底之上形成隧道绝缘层、电子存储层和隔离掩模；

蚀刻隔离区的所述隔离掩模、所述电子存储层、所述隧道绝缘层和所述半导体衬底，以形成第一沟槽；

在所述第一沟槽、所述电子存储层和所述隔离掩模的侧壁上形成间隔体；

在所述隔离区内，在每一所述第一沟槽之下形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽窄于并且深于对应的所述第一沟槽；

在每一所述第二沟槽的侧壁和底面上形成第一氧化物层；以及

以绝缘层填充所述第一沟槽，从而在每一所述第二沟槽内形成空穴。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过根氧化工艺形成所述第一氧化物层。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括在形成所述第一沟槽之后，在每一所述第一沟槽的侧壁和底面上形成第二氧化物层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，通过根氧化工艺形成所述第二氧化物层。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括蚀刻每一所述间隔体，从而加宽每一所述间隔体的相对侧之间的距离，其中，在形成所述第二沟槽之后执行所述蚀刻。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括在形成所述第二沟槽之后去除所述间隔体。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述电子存储层由氮化硅层形成。

17.根据权利要求10所述的方法，其中，所述隔离掩模具有包括缓冲氧化物层、氮化物层和硬掩模的叠层结构。

18.根据权利要求10所述的方法，其中，以所述第一沟槽和对应的所述第二沟槽的总深度的大约1/6到大约1/3的深度形成每一所述第一沟槽。

19.根据权利要求10所述的方法，其中，所述绝缘层由下述材料之一形成：玻璃上硅、高密度等离子体氧化物、等离子体增强氧化物、O3-四乙基原硅酸酯或其任何组合

20.根据权利要求10所述的方法，还包括通过蚀刻所述绝缘层，使所述绝缘层保留于所述隔离区内。