[发明专利]半导体存储装置无效
申请号: | 200710007267.3 | 申请日: | 2007-01-25 |
公开(公告)号: | CN101089993A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 三谷和之 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | G11C11/41 | 分类号: | G11C11/41;G11C11/413;G09G3/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽;李晓舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具有:
存储单元,矩阵状地配置多个;以及
互补关系的位线以及反位线,共用连接到同列的存储单元,其特征在于:
所述存储单元被分割为由多个列的存储单元构成的存储块,
所述存储块间对应的所述位线的数据被输出到共用的数据线中,
所述存储块间对应的所述位线的数据被输出到共用的反数据线中,
配置仅由所述数据线或所述反数据线构成的列,以使具有互补关系的所述数据线和所述反数据线的复合列相邻。
2.如权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,
形成所述复合列,以使所述数据线和所述反数据线为相同的长度。
3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体存储装置,其特征在于,
所述存储单元是静态RAM。
4.如权利要求3所述的半导体存储装置,其特征在于,
所述存储单元的每个存储块被预充电。
5.如权利要求4所述的半导体存储装置,其特征在于,
所述存储单元用于LCD驱动器的存储器。
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