[发明专利]闪速存储器件的栅极的形成方法

权利要求书

1.一种形成闪速存储器件的栅极的方法，所述方法包括的步骤有：

在半导体衬底上形成以第一氮化物层为顶层的栅极；

在所述栅极的整个表面上形成具有侧壁的氧化物层；

在所述氧化物层的侧壁上以间隔体的形式形成第二氮化物层；

执行抛光工艺，以暴露所述栅极的顶面；

剥离所述第一氮化物层，以形成具有侧壁的开口；

在所述开口的侧壁上形成阻挡金属层；以及

在所述开口内形成钨层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的栅极的形成包括：

在所述半导体衬底上依次层压隧道氧化物层、第一多晶硅层、电介质层、第二多晶硅层、第一氮化物层、硬掩模层、SiON层和光致抗蚀剂；

对所述光致抗蚀剂构图；

采用所述已构图光致抗蚀剂作为掩模蚀刻所述SiON层和所述硬掩模层；

去除所述已构图光致抗蚀剂和所述SiON层，由此形成硬掩模层图案；

采用所述硬掩模层图案作为掩模蚀刻所述第一氮化物层、第二多晶硅层、电介质层、第一多晶硅层和隧道氧化物层；以及

剥离所述硬掩模层图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其包括将所述第一氮化物层形成为具有到的厚度。

4.根据权利要求2所述的方法，其包括采用a-碳将所述硬掩模层形成为具有到的厚度。

5.根据权利要求2所述的方法，其包括将所述SiON层形成为具有到的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述氧化物层形成之后及所述第二氮化物层形成之前，所述氧化物层蚀刻为使得所述第一氮化物层的顶面与所述氧化物层之间的高度差为到

7.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述第二氮化物层形成为具有到的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一氮化物层的顶面与所述第二氮化物层的顶面之间的高度差设为处于到的范围内。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述第一氮化物层的顶面与所述第二氮化物层的顶面之间的高度差设为处于到的范围内。

10.根据权利要求2所述的方法，其包括采用磷酸在所述第一氮化物层上执行湿法蚀刻工艺，以形成开口。

11.根据权利要求1所述的方法，其包括采用Ti和TiN、Ta和TaN以及WN之一形成所述阻挡金属层。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述阻挡金属层之前在所述开口的所述侧壁上形成氧化物层或氮化物层的步骤。