[发明专利]感光式芯片封装构造及其制造方法有效
申请号: | 200710007981.2 | 申请日: | 2007-02-01 |
公开(公告)号: | CN101236978A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 刘建宏 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/50 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 芯片 封装 构造 及其 制造 方法 | ||
1. 一种感光式芯片封装构造,其至少包含有:
晶片,设有第一、二表面,其第一表面通过设有接合层与数个感光芯片结合;
数个感光芯片,各感光芯片间具有间隔,通过接合层设置在晶片的第一表面上,其各感光芯片上方分别设有彩色滤光阵列;
玻璃基板,其玻璃基板一侧设有多个堰墙,并通过该堰墙设置于各感光芯片的间隔处上方,并使玻璃基板与彩色滤光阵列形成适当间隙。
2. 如权利要求1所述的感光式芯片封装构造,其中该晶片第二表面依序建构有基板、第一绝缘层、导电层,以及最外围的第二绝缘层与电路接脚,各电路接脚穿过第二绝缘层与导电层接触。
3. 如权利要求1所述的感光式芯片封装构造,其中该彩色滤光阵列利用接合层分别设置于各感光芯片上方。
4. 如权利要求1所述的感光式芯片封装构造,其中该堰墙为光阻材料。
5. 如权利要求4所述的感光式芯片封装构造,其中该光阻材料为防焊绿漆。
6. 一种感光式芯片封装的制造方法,包括下列步骤:
a、在晶片一侧设置接合层,并于接合层上建构有多个感光芯片;
b、在感光芯片上设置彩色滤光阵列;
c、提供设有堰墙的玻璃基板;
d、将该玻璃基板覆盖于彩色滤光阵列上方,并利用堰墙使玻璃基板与彩色滤光阵列形成适当间隙。
7. 如权利要求6所述的感光式芯片封装的制造方法,其中在步骤d后可进一步进行基板粘着、第一绝缘层建构、第一次切割、导电层建构、第二绝缘层建构、设置电路接脚以及第二次切割等步骤。
8. 如权利要求7所述的感光式芯片封装的制造方法,其中该基板粘着步骤于晶片相对应于感光芯片的另侧通过接合层粘着一基板。
9. 如权利要求7所述的感光式芯片封装的制造方法,其中该第一绝缘层建构步骤于基板上涂布有绝缘材料,再利用曝光显影方式在基板的特定位置形成第一绝缘层。
10. 如权利要求7所述的感光式芯片封装的制造方法,其中该第一次切割步骤于基板异于第一绝缘层形成第一道凹沟。
11. 如权利要求10所述的感光式芯片封装的制造方法,其中该第一道凹沟的深度以接触到堰墙为佳。
12. 如权利要求3所述的感光式芯片封装的制造方法,其中该堰墙为光阻材料。
13. 如权利要求12所述的感光式芯片封装的制造方法,其中该光阻材料为防焊绿漆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的