[发明专利]感光式芯片封装构造及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种感光式芯片封装构造及其制造方法，尤其涉及一种可增加光线穿透率，以提高解析度的感光式芯片封装构造及其制造方法。

背景技术

随着影音多媒体的盛行，数码影像设备相继推出，其关键核心零部件图像传感器的地位也日益重要。图像传感器主要负责将光的图像信号转换成电信号，而依感测元件的类型通常可分为电荷耦合元件(Charge CoupledDevice，简称CCD)图像传感器以及互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，简称CMOS)图像传感器等。其中，由于互补式金属氧化物半导体图像传感器具有低价位、低耗电量、像素可随机读取以及高整合度等优点，因此目前多被应用在拍照手机以及网络摄影机(webcam)等较为平价的产品中。

而图13为已知图像传感器的剖面示意图，该图像传感器80的感光芯片81配置在基底82中，其中感光芯片81例如是由基底82中多个具有p-n结(p-n junction)的光二极管(photo diode)所构成。更详细地说，感光芯片81通常是由基底82中的n型掺杂区、p型掺杂区以及n型掺杂区与p型掺杂区之间自然形成的p-n结所构成。

内连线层(interconnection layer)84配置在基底82上，且其中包含有许多金属内连线以及位于这些金属内连线之间的介电层(图中未标示)，这些金属内连线适于将感光芯片81所接收到的信号传输至电路板85，以进行后续的图像处理。而彩色滤光片86以阵列排列方式配置在内连线层84上，并对应至基底82中的感光芯片81，且每一彩色滤光片86上方均覆盖有用以聚集光线的微透镜87，而微透镜87的上方则配置有玻璃基板88，并通过支撑物89而与内连线层84连接。

外界光线91经由微透镜87以及彩色滤光片86而入射至内连线层84中，进而被感光芯片81所接收。因此，内连线层84中的金属内连线的布局必须避开感光芯片81的上方，以避免作为金属内连线的金属层(图中未标示)反射光线而降低感光芯片81所感测到光线强度，所以工艺上较为繁杂。

此外，内连线层84中的介电层(图中未标示)也会阻挡部分的入射光线(也即吸收或反射光线)，而使光线强度在内连线层84中逐渐衰减，进而导致感光芯片81所感测到光线强度不足。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的即在提供一种可增加光线穿透率，以提高解析度的感光式芯片封装构造及其制造方法。

为实现上述发明目的，本发明的技术方案为：

一种感光式芯片封装构造，其至少包含有：晶片，设有第一、二表面，其第一表面通过设有接合层与数个感光芯片结合；数个感光芯片，各感光芯片间具有间隔，通过接合层设置在晶片的第一表面上，其各感光芯片上方分别设有彩色滤光阵列；玻璃基板，其玻璃基板一侧设有多个堰墙，并通过该堰墙设置于各感光芯片的间隔处上方，并使玻璃基板与彩色滤光阵列形成适当间隙。

根据本发明的感光式芯片封装构造，其中该晶片第二表面依序建构有基板、第一绝缘层、导电层，以及最外围的第二绝缘层与电路接脚，各电路接脚穿过第二绝缘层与导电层接触。

根据本发明的感光式芯片封装构造，其中该彩色滤光阵列利用接合层分别设置于各感光芯片上方。

根据本发明的感光式芯片封装构造，其中该堰墙为光阻材料。

根据本发明的感光式芯片封装构造，其中该光阻材料为防焊绿漆。

本发明还提供一种感光式芯片封装的制造方法，该方法包括下列步骤：a、在晶片一侧设置接合层，并于接合层上建构有多个感光芯片；b、在感光芯片上设置彩色滤光阵列；c、提供设有堰墙的玻璃基板；d、将该玻璃基板覆盖于彩色滤光阵列上方，并利用堰墙使玻璃基板与彩色滤光阵列形成适当间隙。

根据本发明的感光式芯片封装的制造方法，其中在步骤d后可进一步进行基板粘着、第一绝缘层建构、第一次切割、导电层建构、第二绝缘层建构、设置电路接脚以及第二次切割等步骤。

根据本发明的感光式芯片封装的制造方法，其中该基板粘着步骤于晶片相对应于感光芯片的另侧通过接合层粘着基板。

根据本发明的感光式芯片封装的制造方法，其中该第一绝缘层建构步骤于基板上涂布有绝缘材料，再利用曝光显影方式在基板的特定位置形成第一绝缘层。

根据本发明的感光式芯片封装的制造方法，其中该第一次切割步骤于基板异于第一绝缘层形成有第一道凹沟。

根据本发明的感光式芯片封装的制造方法，其中该第一道凹沟的深度以接触到堰墙为佳。