[发明专利]芯片封装模块的散热方法及构造无效
申请号: | 200710007982.7 | 申请日: | 2007-02-01 |
公开(公告)号: | CN101236938A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 刘建宏 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 模块 散热 方法 构造 | ||
1. 一种芯片封装模块的散热方法,在芯片封装模块的壳体基部设有贯穿至内部硅晶体的热沟道,并且在各热沟道中设置散热导体以衔接在硅晶体与壳体表面之间。
2. 如权利要求1所述的芯片封装模块的散热方法,该散热导体利用金属材料以金属沉积方式,使金属材料沉积后形成衔接在硅晶体与壳体表面之间的散热导体。
3. 如权利要求1所述的芯片封装模块的散热方法,该硅晶体的底面与壳体之间设有容置空间,使沉积的金属能够扩散到硅晶体的底面,并且使各散热导体在硅晶体的底面构成连接。
4. 一种芯片封装模块的散热构造,其芯片封装模块的晶片构造在一个设于壳体内部的硅晶体上,其特征在于:
该壳体基部设有若干衔接在硅晶体与壳体表面之间的散热导体。
5. 如权利要求4所述的芯片封装模块的散热构造,其中各所述散热导体直接触及硅晶体底面。
6. 如权利要求4所述的芯片封装模块的散热构造,其中各所述散热导体深入硅晶体内部。
7. 如权利要求4所述的芯片封装模块的散热构造,其中各所述散热导体贯穿至硅晶体的表层。
8. 如权利要求4所述的芯片封装模块的散热构造,其中各所述散热导体在硅晶体的底面构成连接。
9. 如权利要求4所述的芯片封装模块的散热构造,其中该壳体基部由依序构造在硅晶体的下方的绝缘层、金属导电层以及阻焊层所构成。
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