[发明专利]显示设备及其制造方法无效
申请号: | 200710008037.9 | 申请日: | 2007-02-09 |
公开(公告)号: | CN101162727A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 金相大;李征焕;崔浩源 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 夏凯;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种电致发光设备,包括:
基片;
设置在基片上的第一电极;
设置在第一电极上的发光层;
至少一个第一绝缘层;和
相邻发光层设置的第二电极,该第二电极包括第一导电层。
2.如权利要求1所述的电致发光设备,其中该至少一个第一绝缘层是在第一导电层上形成的。
3.如权利要求2所述的电致发光设备,其中该至少一个第一绝缘层包括在第一导电层上形成的多个第一绝缘层。
4.如权利要求3所述的电致发光设备,其中该第一绝缘层和相邻的第一绝缘层隔开大于等于1nm的距离。
5.如权利要求1所述的电致发光设备,其中该至少一个第一绝缘层形成在其中第一导电层不与发光层接触的界面处。
6.如权利要求5所述的电致发光设备,其中该至少一个第一绝缘层具有小于第一导电层的尺寸。
7.如权利要求6所述的电致发光设备,其中该尺寸包括宽度。
8.如权利要求1所述的电致发光设备,其中该第二电极进一步包括在第一导电层上的至少一个第二导电层。
9.如权利要求8所述的电致发光设备,其中,该第二导电层具有等于或大于第一导电层厚度的厚度。
10.如权利要求8所述的电致发光设备,进一步包括在第二导电层上形成的至少一个第二绝缘层。
11.如权利要求10所述的电致发光设备,其中该至少一个第二绝缘层包括在第二导电层上形成的多个第二绝缘层。
12.如权利要求11所述的电致发光设备,其中,该第二绝缘层和相邻的第二绝缘层隔开大于等于1nm的距离。
13.如权利要求11所述的电致发光设备,其中该至少一个第二绝缘层具有小于第二导电层的尺寸。
14.如权利要求8所述的电致发光设备,其中该第二电极进一步包括在第二导电层上的第三导电层。
15.如权利要求14所述的电致发光设备,其中,该第三导电层具有等于或大于第一和第二导电层的厚度的厚度。
16.如权利要求1所述的电致发光设备,其中该至少一个第一绝缘层包括氧化物。
17.如权利要求1所述的电致发光设备,其中该第一导电层包括金属层。
18.一种电致发光设备,包括:
基片;
设置在基片上的第一电极;
形成在第一电极上的电致发光层;
具有在电致发光层上形成的第一导电层的第二电极;和
与第一导电层相邻设置的第一绝缘层。
19.如权利要求18所述的电致发光设备,其中该第一绝缘层是在第一导电层上形成的。
20.如权利要求19所述的电致发光设备,其中该第一绝缘层包括在第一导电层上形成的多个第一绝缘层。
21.如权利要求18所述的电致发光设备,其中该至少一个第一绝缘层形成在其中第一导电层不与电致发光层接触的界面处。
22.如权利要求18所述的电致发光设备,其中该第二电极包括在第一导电层上的第二导电层。
23.如权利要求22所述的电致发光设备,进一步包括在第二导电层上形成的第二绝缘层。
24.一种形成电致发光设备的方法,包括:
在基片上形成阳极电极;
在阳极电极上形成电致发光层;
在电致发光层上形成阴极电极,该阴极电极包括第一导电层;和
形成第一绝缘层,其中该第一绝缘层与第一导电层的至少一部分相邻形成。
25.如权利要求24所述的方法,进一步包括在形成第一导电层之后应用反向偏压。
26.如权利要求24所述的方法,其中该形成第一绝缘层的步骤包括在第一导电层上形成第一绝缘层。
27.如权利要求24所述的方法,其中该形成第一绝缘层的步骤包括在第一导电层上形成多个第一绝缘层。
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