[发明专利]显示设备及其制造方法无效
申请号: | 200710008037.9 | 申请日: | 2007-02-09 |
公开(公告)号: | CN101162727A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 金相大;李征焕;崔浩源 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 夏凯;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
本申请要求于2006年10月12日提交的韩国专利申请No.10-2006-0099393的优先权,将其主题完全包括在此并引入作为参考。
技术领域
本发明的实施例可涉及显示设备和/或制造该显示设备的方法。更加具体的说,本发明的实施例可涉及可以防止从阴极电极泄露电流和/或减少阴极电极的阻抗的显示设备和/或制造显示设备的方法。
背景技术
开发了多种类型的平板显示器,其重量和体积减少,且没有阴极射线管(CRT)的缺点。这种平板显示器包括液晶显示器(LCD),场发射显示器(FED),等离子显示面板(PDP)和电致发光(EL)显示设备。
附图说明
通过参考下面的说明书、权利要求和其中相同的附图标记表示相同元件的附图可以更好地理解本发明的实施例,在附图中:
图1是根据示例布置的显示设备的框图;
图2是示出了根据示例布置加到扫描线的扫描信号的一个示例的时序图;
图3是示出了使用脉冲幅度调制(PAM)方法驱动面板的方法的时序图;
图4是示出了使用脉冲宽度调制(PWM)方法驱动面板的方法的时序图;
图5示出了根据示例布置的面板;
图6是根据示例布置的面板的侧视图;
图7是根据示例布置的面板的侧视图;
图8示出了根据示例布置的有机电致发光(EL)设备;
图9是根据一个示例布置的有机电致发光设备的像素电路部分的平面图;
图10是沿图9的线A-A所取的截面图;
图11是根据一个示例布置的一个阴极电极和其下层结构的部分放大截面图;
图12是示出了根据本发明的示例的有机电致发光设备的结构的截面图;
图13A和图13B是根据本发明的示例实施例的示出了(顺序)形成阴极电极的过程的部分放大视图;
图14A-14C是根据本发明的示例实施例的示出了(顺序)形成其中第一金属层不完全覆盖粒子的阴极电极的过程的部分放大视图;
图15A-15E示出了根据本发明示例实施例的形成阳极电极的过程。
具体实施方式
将参考附图具体描述本发明的实施例。在下面实施例中,提供有机电致发光设备作为发光设备的一个示例。但是,本发明的实施例不限于有机电致发光设备。
图1是根据示例布置的显示设备的框图。例如,在US专利申请Nos.10/858,387(公开号.2004-222749),11/858,387(公开号.2004-222749),11/318,515(公开号.2006-146827)和11/289,644(公开号.2006-119256)等中提供了其它布置,将其全部内容包括在此作为参考。显示设备可用于,或形成为用于电子书、新闻、杂志等的刚性或柔性显示器。该显示设备还可用于多种类型的便携式设备(例如,手持设备,MP3播放器、笔记本计算机等),音频应用,导航应用,电视,监视器或其它类型的使用显示器的设备,不论单色或彩色的。
图1示出了该显示设备可包括面板10,数据驱动设备20,扫描驱动设备30和控制设备40。面板10还可包括在数据线(DL1到DLm)和扫描线(SL1到SLn)的交叉区域形成的多个像素50。
该扫描驱动设备30可顺序发送扫描信号到扫描线(SL1到SLn)。数据驱动设备20可顺序发送数据信号到数据线(DL1到DLm)。数据驱动设备20可使用脉冲幅度调制(PAM)方法或脉冲宽度调制(PWM)方法,例如,将数据信号施加到数据线(DL1到DLm)。例如,图2是示出了由扫描驱动设备30施加到扫描线的扫描信号和由数据驱动设备20施加到数据线的数据信号的一个示例。
图3是示出了使用PAM方法驱动面板10的方法的时序图。该数据驱动设备20可通过使用PAM方法将数据信号(也就是,对应于数字视频数据的数据电流)施加到数据线(DL1到DLm)。在PAM方法中,像素的灰度级可能与数据电流的幅度成正比。在数据电流中,具有高逻辑的时间可能是恒定的,而不考虑对应于数字视频数据的灰度级。在U.S专利申请No.11/318,515(公开号.2006-146827)等中也公开了类似的驱动方法,将其全部内容包括在此作为参考。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的