[发明专利]半导体元件的浅沟槽隔离层及其制作方法

权利要求书

1.一种于沟槽中填入硅氧层的方法，该方法包括：

提供基底，该基底具有多个沟槽；

提供具有第一臭氧/四乙氧基硅烷流量比的反应气体而进行第一沉积工艺，以于该基底表面与该些沟槽中全面形成第一硅氧层；以及

提供具有第二臭氧/四乙氧基硅烷流量比的反应气体而进行第二沉积工艺，以于第一硅氧层之上形成第二硅氧层，且该第二臭氧/四乙氧基硅烷流量比小于该第一臭氧/四乙氧基硅烷流量比。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一臭氧/四乙氧基硅烷流量比大于约18。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第二臭氧/四乙氧基硅烷流量比小于约18。

4.如权利要求1所述的方法，其中该方法是在该些沟槽之中最小的沟槽被该第一硅氧层完全填满后，便停止该第一沉积工艺。

5.如权利要求1所述的方法，其中该方法还包括提供具有第三臭氧/四乙氧基硅烷流量比的反应气体而进行第三沉积工艺，以于该第二硅氧层之上形成第三硅氧层，且该第三臭氧/四乙氧基硅烷流量比小于该第二臭氧/四乙氧基硅烷流量比。

6.如权利要求1所述的方法，其中该方法还包括进行高密度等离子体化学气相沉积工艺，以在该第二硅氧层之上形成第三硅氧层。

7.如权利要求1所述的方法，其中该方法还包括在该第二沉积工艺之后，进行蒸气退火工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第一沉积工艺包括次常压化学气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的方法，其中该第二沉积工艺包括次常压化学气相沉积工艺。

10.一种制作浅沟槽隔离层的方法，其包括：

提供基底，该基底表面具有第一沟槽以及第二沟槽，且该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度；

进行第一沉积工艺，以形成第一硅氧层，分别填满该第一沟槽内部并设于该第二沟槽的内壁与底部表面；以及

进行第二沉积工艺，以形成第二硅氧层，填于该第二沟槽内并覆盖于该第一硅氧层之上，该第二硅氧层的碳含量不同于该第一硅氧层的碳含量。

11.如权利要求10所述的方法，其中该第一硅氧层的碳含量小于该第二硅氧层的碳含量。

12.如权利要求10所述的方法，其中该第二硅氧层完全填满该第二沟槽内未设有该第一硅氧层的部分。

13.如权利要求10所述的方法，其中该方法还包括进行第三沉积工艺，以形成第三硅氧层，覆盖于该第二硅氧层之上，并完全填满该第二沟槽内未设有该第一硅氧层与该第二硅氧层的部分。

14.如权利要求13所述的方法，其中该第三硅氧层的碳含量大于该第二硅氧层的碳含量。

15.如权利要求10所述的方法，其中该方法还包括进行化学机械抛光工艺，以移除该基底表面上的该第一硅氧层与该第二硅氧层。

16.如权利要求10所述的方法，其中该第一沉积工艺是通入具有臭氧/四乙氧基硅烷流量比大于18的反应气体，以形成该第一硅氧层。

17.如权利要求10所述的方法，其中该第二沉积工艺是通入具有臭氧/四乙氧基硅烷流量比小于18的反应气体，以形成该第二硅氧层。

18.一种半导体元件，其包括：

半导体基底；

至少一第一沟槽与一第二沟槽设于该半导体基底表面，且该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度；

第一硅氧层，分别填满该第一沟槽内部并设于该第二沟槽的内壁与底部表面；以及

第二硅氧层，设于该第二沟槽内并覆盖于该第一硅氧层之上，且该第一硅氧层的碳含量不同于该第二硅氧层的碳含量。

19.如权利要求18所述的半导体元件，其中该第一硅氧层的碳含量小于该第二硅氧层的碳含量。

20.如权利要求18所述的半导体元件，其中该半导体元件还包括第三硅氧层，填满该第二沟槽中未设有第一硅氧层与该第二硅氧层的部分。