[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710008175.7 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101162734A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 田村直义 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件，包括：
应力膜，其形成为覆盖源极、漏极、侧壁绝缘层以及栅极，
其中，在所述应力膜中形成从所述应力膜的表面朝向所述侧壁绝缘层延伸的缝隙。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁绝缘层由多个绝缘膜形成，且各所述绝缘膜具有不同的组分。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述缝隙形成为延伸至所述侧壁绝缘层的、位于所述源极侧的端部和位于所述漏极侧的端部。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁绝缘层形成为L形。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述缝隙形成为靠近所述L形侧壁绝缘层的弯折部延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，用于使沟道产生压应变的所述应力膜形成在p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、漏极和栅极上。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，用于使沟道产生拉应变的所述应力膜形成在n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、漏极和栅极上。
8.一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
形成覆盖源极、漏极、侧壁绝缘层以及栅极的应力膜；以及
在所述应力膜中形成从所述应力膜的表面朝向所述侧壁绝缘层延伸的缝隙。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，在形成所述缝隙的步骤中，进行使用氢氟酸的湿处理。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其中，通过将所述应力膜形成为使得覆盖所述栅极的应力膜的深宽比为3或更大，来形成所述缝隙。
11.根据权利要求8所述的制造方法，其中，通过形成深宽比为3或更大的栅极而在所述应力膜中形成所述缝隙。
12.根据权利要求8所述的制造方法，其中，在形成所述应力膜的步骤中，在p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、漏极和栅极上形成用于使沟道产生压应变的应力膜。
13.根据权利要求8所述的制造方法，其中，在形成所述应力膜的步骤中，在n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、漏极和栅极上形成用于使沟道产生拉应变的应力膜。
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