[发明专利]低温烧结Ba5(Nb,Sb)4O15系的微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷，其特征在于其配方组成表达式为：Ba₅(Nb_1-xSb_x)₄O₁₅+awt％H₃BO₃，其中：0≤x≤0.3，1＜a≤4。

2.如权利要求1所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将原料BaCO₃，Nb₂O₅和Sb₂O₅按配方通式Ba₅(Nb_1-xSb_x)₄O₁₅配料，将配制的化学原料混合球磨至少1h后的浆料烘干，再预烧，其中0≤x≤0.3；

2)预烧后的粉料加入a＝1～4wt％H₃BO₃，再经过球磨，烘干后采用PVA对其进行造粒，干压成型，压成圆片和圆柱样品，在880～1000℃之间进行常压烧结后，保温，自然冷却到室温。

3.如权利要求2所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于配制的化学原料混合球磨的球磨介质为水和锆球。

4.如权利要求2所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于预烧的温度为950～1050℃，预烧的时间至少1h。

5.如权利要求2所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于预烧后的粉料加入a＝1～4wt％H₃BO₃，再经过球磨的时间为2h。

6.如权利要求2所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于所述的PVA的浓度为5％～7％。

7.如权利要求2所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于所述的造粒过40～80目筛。

8.如权利要求2所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于造粒后干压成型的压力为100～250MPa。

9.如权利要求2所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于圆片样品的厚度为1～3mm，直径为10～15mm，圆柱的厚度为5～7mm，直径为10～15mm。

10.如权利要求2所述的低温烧结Ba₅(Nb，Sb)₄O₁₅系的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于常压烧结的气氛为空气，升温速率为≤75℃/min，烧结后保温至少1h。