[发明专利]利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法无效
申请号: | 200710016229.4 | 申请日: | 2007-07-26 |
公开(公告)号: | CN101134569A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 钱逸泰;郭春丽;邢政;徐立强 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36;B82B3/00 |
代理公司: | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人: | 李健康 |
地址: | 250061山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 溶剂 反应 低温 合成 氮化 纳米 材料 方法 | ||
1.一种利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,其特征在于,按摩尔比2.8-5.8∶1∶0.8-2.7的量将SiCl4、NaN3和镁粉混合,或以铁粉为还原剂按摩尔比5.8-6.0∶1∶0.58-0.60的量将SiCl4、NaN3和铁粉混合,密封在高压釜中,于200℃-300℃反应10小时±0.5小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得以β-Si3N4为主的一维氮化硅纳米材料。
2.如权利要求1所述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,其特征在于,按摩尔比5.8∶1∶1.0-1.3的量将SiCl4、NaN3和镁粉混合,密封在高压釜中,于200℃-300℃反应10小时±0.5小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得以β-Si3N4纳米棒为主的氮化硅粉末。
3.如权利要求1所述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,其特征在于,按摩尔比2.8∶1∶2.7的量将SiCl4、NaN3和镁粉混合,密封在高压釜中,于300℃反应10小时±0.5小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得以β-Si3N4纳米线为主的氮化硅粉末。
4.如权利要求1所述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,其特征在于,按摩尔比5.8∶1∶0.58的量将SiCl4、NaN3和铁粉混合,密封在高压釜中,于250℃反应10小时±0.5小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得以α-Si3N4纳米线为主的氮化硅粉末。
5.如权利要求1、2或3所述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,其特征在于,所述镁粉能用铝粉或钙粒替代。
6.如权利要求1或4所述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,其特征在于,所述铁粉能用镍粉或钠粒替代。
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