[发明专利]背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及其制备无效
| 申请号： | 200710017791.9 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101055881A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张景文;毕臻;边旭明;侯洵;杨晓东;韩峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L21/84;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 zno 紫外 成像 固态 平面 探测 阵列 及其 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列，该平面探测阵列以双面抛光的蓝宝石(0001)为基底，其特征在于：
在所述的双面抛光的蓝宝石(0001)基底上利用激光分子束外延或射频反应溅射法生长Al重掺杂的N-MgxZn1-xO或Al重掺杂的BexZn1-xO层作为透明导电膜，用于电极和UV-C光窗口层，保证UV-C波段的光充分透过；
在透明导电膜上外延生长不掺杂的MgyZn1-yO层，该层的作用是充分吸收紫外光，是阵列像素单元的核心层；
再生长一层Al重掺杂的N-MgzZn1-zO外延层，以实现良好的欧姆接触；或采用肖特基接触，直接在MgyZn1-yO层上用蒸发镀膜工艺制作一层金属镀层；
最后利用光刻和ICP离子刻蚀的方法形成阵列像素单元结构图形，并在刻蚀好的阵列像素单元结构图形上利用RF磁控溅射镀上SiO2钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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