[发明专利]一种导电型阻隔层LaNiO3的制备方法无效
| 申请号： | 200710018599.1 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101178954A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 卢亚锋;王耀;李成山;闫果 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H01B12/06;H01L39/24;B01J19/00;B05D1/40;B05D5/12;B05D7/24;B05D3/02;C22F1/00 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 71001*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 阻隔 lanio sub 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种导电型阻隔层LaNiO3的制备方法，其特征在于制备过程为：
(1)将结晶水含量确定的硝酸镧和醋酸镍固体按照摩尔比为1∶1的比例称取混合，加冰醋酸溶解，配置成总摩尔浓度为c的稳定的前驱液，其中0.1≤c≤1.0mol/L；
(2)将步骤(1)中的前驱液旋涂于YSZ单晶基片上；将涂好的YSZ单晶基片置于管式炉中，从室温以不低于5℃/分钟的升温速率加热，在300-450℃的温度下恒温0-5小时，以形成无定形的前驱膜；
(3)然后继续以不低于5℃/分钟的升温速率加热，在500-700℃的温度下恒温0.5-3小时，最后以不低于2℃/分钟的降温速率冷却至室温，即制得LaNiO3阻隔层。
2.根据权利要求1所述的一种导电型阻隔层LaNiO3的制备方法，其特征在于：将所述前驱液旋涂于已用丙酮超声清洗过的YSZ单晶基片上，以3000转/分钟的速率旋涂30秒钟。
3.根据权利要求1或2所述的一种导电型阻隔层LaNiO3的制备方法，其特征在于：所述YSZ单晶基片为SrTiO3单晶基片、NdGaO3单晶基片或LaAlO3单晶基片。
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