[发明专利]锑化铟霍尔元件及制造方法

权利要求书

1. 一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，其特征是：“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸。

2. 根据权利要求1所述的锑化铟霍尔元件，其特征是：“十”字形液体树脂保护膜的“十”字宽度大于“十”字形锑化铟感知膜的“十”字宽度。

3. 一种锑化铟霍尔元件的制造方法，其特征是：主要步骤如下：1)镍锌材料基板受入；2)形成二氧化硅绝缘层；3)蒸着锑化铟感知膜；4)在锑化铟感知膜表面涂布光刻胶，光刻胶烘干后进行“十”字形锑化铟感知膜光刻，光刻时“十”字以外的光刻胶部分用紫外线进行照射，接着放入显像液中显像、清除“十”以外的光刻胶，再放入第一酸性腐蚀液中清除“十”以外的锑化铟，而后再放入第二酸性腐蚀液进行第二次腐蚀，第二次腐蚀以后在丙酮中进行“十”字表面光刻胶清除，就形成“十”字形锑化铟感知膜；5)在形成“十”字形锑化铟感知膜的基板表面涂布一层液体树脂保护膜烘干，烘干后再涂布光刻胶烘干，烘干后在“十”字形锑化铟感知膜上面进行“十”字形液体树脂保护膜光刻，光刻时“十”字以外的光刻胶部分用紫外线进行照射，接着放入显像液中显像、清除“十”以外的光刻胶和液体树脂保护膜，然后再在醋酸丁当中清洗掉“十”上的剩余光刻胶，形成“十”字形液体树脂保护膜；6)在形成“十”字形锑化铟感知膜和“十”字形液体树脂保护膜的基板表面涂布一层光刻胶进行烘干，与“十”字形锑化铟感知膜和“十”字形液体树脂保护膜光刻口平行接触处进行四个金电极图形光刻，在每个金电极图形以内的部分用紫外线进行照射，接着放入显像液中显像、清除金电极图形以内的光刻胶，形成四个金电极图形；7)金电极图形形成以后进行电极蒸着，在芯片表面依次蒸着一层Cr和Au，蒸着完成后金电极图形以外部分的金主要用胶带、丙酮去除，即形成四个金电极；7)最后芯片进行划片、切割，在四个金电极上使用金丝球焊连接、进行超小型封装，再进行电镀处理以后就形成了锑化铟高灵敏度型霍尔器件。

4. 根据权利要求3所述的锑化铟霍尔元件的制造方法，其特征是：第一酸性腐蚀液由乳酸和硝酸组成，乳酸和硝酸的体积比例为5∶1，腐蚀液温度为27℃～29℃、腐蚀时间为230秒～250秒；第二腐蚀液是盐酸，腐蚀时间280～320秒。