[发明专利]锑化铟霍尔元件及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种霍尔元件及制造方法。

背景技术

现在在市场上的锑化铟(InSb)霍尔元件通常是使用两次光刻，在光刻“十”字形锑化铟(InSb)感知膜表面再光刻金电极图形，在“十”字形锑化铟感知膜表面没有任何保护，这样的霍尔元件稳定性差，锑化铟感知膜容易损伤。

发明内容

为了克服上述缺陷，本发明提供一种锑化铟霍尔元件及制造方法，用这种方法制造的锑化铟霍尔元件感知膜不会损伤、性能稳定，且制造方法简单易行，成本较低。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术问题是：一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸，以便于“十”字形锑化铟感知膜的四端露出于“十”字形液体树脂保护膜之外与金电极相接。

“十”字形液体树脂保护膜的“十”字宽度大于“十”字形锑化铟感知膜的“十”字宽度，可更好地保护“十”字形锑化铟感知膜。

一种锑化铟霍尔元件的制造方法，主要步骤如下：1)镍锌材料基板受入；2)形成二氧化硅绝缘层；3)蒸着锑化铟感知膜；4)在锑化铟感知膜表面涂布光刻胶，光刻胶烘干后进行“十”字形锑化铟感知膜光刻，光刻时“十”字以外的光刻胶部分用紫外线进行照射，接着放入显像液中显像、清除“十”以外的光刻胶，再放入第一酸性腐蚀液中清除“十”以外的锑化铟，而后再放入第二酸性腐蚀液进行第二次腐蚀，第二次腐蚀以后在丙酮中进行“十”字表面光刻胶清除，就形成“十”字形锑化铟感知膜；5)在形成“十”字形锑化铟感知膜的基板表面涂布一层液体树脂保护膜烘干，烘干后再涂布光刻胶烘干，烘干后在“十”字形锑化铟感知膜上面进行“十”字形液体树脂保护膜光刻，光刻时“十”字以外的光刻胶部分用紫外线进行照射，接着放入显像液中显像、清除“十”以外的光刻胶和液体树脂保护膜，然后再在醋酸丁当中清洗掉“十”上的剩余光刻胶，形成“十”字形液体树脂保护膜；6)在形成“十”字形锑化铟感知膜和“十”字形液体树脂保护膜的基板表面涂布一层光刻胶进行烘干，与“十”字形锑化铟感知膜和“十”字形液体树脂保护膜光刻口平行接触处进行四个金电极图形光刻，在每个金电极图形以内的部分用紫外线进行照射，接着放入显像液中显像、清除金电极图形以内的光刻胶，形成四个金电极图形，(金电极图形以外留有光刻胶)；7)金电极图形形成以后进行电极蒸着，在芯片表面依次蒸着一层Cr和Au，蒸着完成后金电极图形以外部分的金用胶带、丙酮等去除(因为在蒸金之前金电极图形以外部分有一层光刻胶，即“十”字形液体树脂保护膜表面及两两相邻金电极间覆盖有光刻胶、覆盖在光刻胶表面的Cr和Au一并去除)，即形成四个金电极，再进行芯片性能测试及表面外观检查；7)最后芯片进行划片、切割，在四个金电极上使用金丝球焊连接、进行超小型封装，再进行电镀处理以后就形成了锑化铟高灵敏度型霍尔器件。

第一酸性腐蚀液由乳酸和硝酸组成，乳酸和硝酸的体积比例为5∶1，腐蚀液温度为27℃～29℃、腐蚀时间为230秒～250秒；第二腐蚀液是盐酸，腐蚀时间280～320秒。

本发明的有益效果是：由于十”字形锑化铟感知膜表面加上一层“十”字形液体树脂(PIX)保护膜，对“十”字形锑化铟感知膜表面起到保护作用，这样“十”字形锑化铟感知膜就不易损坏，保证霍尔元件稳定的特性；又加液体树脂(PIX)保护膜的方法与加锑化铟感知膜类似，因此简单易行，不需另行增加生产设备，成本较低。

附图说明

图1为本发明所述十”字形锑化铟感知膜和“十”字形液体树脂保护膜叠加示意图；

图2为本发明的示意图。

具体实施方式

实施例：一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜1和金电极3组成，“十”字形锑化铟感知膜1上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜2，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸，以便于“十”字形锑化铟感知膜的四端露出于“十”字形液体树脂保护膜之外与金电极3相接，“十”字形液体树脂保护膜的“十”字宽度大于“十”字形锑化铟感知膜的“十”字宽度，可更好地保护“十”字形锑化铟感知膜。

本发明制造方法如下：