[发明专利]一种表面等离子共振芯片的再生方法

权利要求书

1、一种表面等离子共振芯片的再生方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)芯片表面的预处理：

a)将固定有芯片的支架放入体积百分浓度为50-100％乙醇水溶液中超声处理至少1分钟，然后将芯片从支架上夹取下来；

b)芯片表面的清洗：若经超声处理的芯片表面粘附有杂质，则将芯片放入四氢呋喃或丙酮中浸泡或超声处理至少1分钟，取出后用水洗净并干燥；若经超声处理的芯片表面无粘附杂质，则用水洗净并干燥；

c)芯片表面基质的去除：将上述处理的芯片放入硫酸与双氧水按体积比100∶1-400的混合液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

(2)进行芯片表面基质的重构；

(3)将经表面基质重构后的芯片固定于芯片支架上；

所述芯片包括J1芯片、CM系列芯片、C1芯片、HPA芯片、SA芯片或NTA芯片；

所述J1芯片表面为纯金膜，无其它任何基质；所述CM系列芯片包括CM5、CM4或CM3芯片：CM5芯片表面基质为羧甲基化葡聚糖，CM4芯片表面基质为较CM5芯片羧甲基化程度低的羧甲基化葡聚糖，CM3芯片表面基质为较CM5芯片低分子量的羧甲基化葡聚糖；所述C1芯片表面基质为无葡聚糖基质的直链羧化物；所述HPA芯片表面基质为疏水性物质；所述SA芯片表面基质为偶联有链霉亲和素的羧甲基化葡聚糖；所述NTA芯片表面基质为具有氮川三乙酸表面的羧甲基化葡聚糖。

2.如权利要求1所述表面等离子共振芯片的再生方法，特征在于所述芯片表面基质的重构步骤中，CM系列芯片表面基质重构是指：

将经预处理的芯片放入含有0.0001-0.1M巯基烷醇的体积百分浓度为50-100％的乙醇水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

所述巯基烷醇包括巯基甲醇、2-巯基乙醇、3-巯基丙醇、4-巯基丁醇、5-巯基戊醇、6-巯基己醇、7-巯基庚醇、8-巯基辛醇、9-巯基壬醇、10-巯基癸醇、11-巯基十一烷醇、12-巯基十二烷醇、13-巯基十三烷醇、14-巯基十四烷醇、15-巯基十五烷醇、16-巯基十六烷醇、17-巯基十七烷醇或18-巯基十八烷醇中至少一种。

b)将经巯基烷醇溶液浸泡并清洗干燥处理的芯片放入含有0.01-10M环氧氯丙烷或0.01-10M环氧溴丙烷的由二甘醇二甲醚与0.01-10M碱金属氢氧化物按体积比1∶1-5的配制而成的溶液中浸泡至少1分钟，取出后用水洗净并干燥；

c)将经环氧氯丙烷或环氧溴丙烷溶液浸泡并清洗干燥处理处理的芯片放入0.01-800g/L、分子量为1000-2000000道尔顿的葡聚糖水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

d)将经步骤c表面基质重构后的芯片放入含有0.01-10M溴乙酸和0.01-10M碱金属氢氧化物的水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥。

3.如权利要求1所述表面等离子共振芯片的再生方法，特征在于所述芯片表面基质的重构步骤中，C1芯片表面基质的重构是指：

将经预处理的芯片放入含有0.0001-0.1M巯基烷酸的体积百分浓度为0-100％的乙醇水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

所述巯基烷酸包括巯基乙酸、3-巯基丙酸、4-巯基丁酸、5-巯基戊酸、6-巯基己酸、7-巯基庚酸、8-巯基辛酸、9-巯基壬酸、10-巯基癸酸、11-巯基十一烷酸、12-巯基十二烷酸、13-巯基十三烷酸、14-巯基十四烷酸、15-巯基十五烷酸、16-巯基十六烷酸、17-巯基十七烷酸或18-巯基十八烷酸中至少一种。

4.如权利要求1所述表面等离子共振芯片的再生方法，特征在于所述芯片表面基质的重构步骤中，HPA芯片表面基质的重构是指：

将经预处理的芯片放入含有0.0001-0.1M烷基硫醇的体积百分浓度为0-100％的乙醇水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

所述烷基硫醇包括甲硫醇、乙硫醇、1-丙硫醇、异丙硫醇、1-丁硫醇、叔丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-壬硫醇、1-葵硫醇、1-十一硫醇、1-十二硫醇、叔十二硫醇、1-十三硫醇、1-十四硫醇、1-十五硫醇、1-十六硫醇、叔十六硫醇、1-十七硫醇或1-十八硫醇中至少一种。