[发明专利]一种表面等离子共振芯片的再生方法

说明书

技术领域：

本发明属于表面等离子共振传感技术领域，特别涉及表面等离子共振芯片的再生方法。

背景技术：

自上世纪九十年代瑞典比艾可(BIACORE)公司将表面等离子共振技术实现商业化以来，该技术在生命科学各个领域以及电化学领域得到了广泛的应用。鉴于芯片成本成为该技术普遍应用的瓶颈，因此寻找降低芯片成本的方法对促进技术的发展有着重要的意义。美国《分析生物化学》(Analytical Biochemistry，1995，229.1：112-18)报道过一种使偶联过蛋白或肽类的芯片再生的方法，使用蛋白酶消化偶联在芯片表面的蛋白或肽类分子，使芯片恢复到可用状态。但由于芯片表面的蛋白或肽可能会消化不完全而导致芯片表面有残留，会影响后续的实验；另外，芯片表面每次偶联会活化大约30％-40％的活性基团，这意味着每次使用后芯片表面的偶联能力要下降30％-40％，所以按这种方法再生芯片只能再生一次，不能重复再生，该方法也不能用于对偶联其它非蛋白类分子的芯片的再生。除上述方法外，至今未见有其它再生表面等离子共振芯片方法的报道。

发明内容：

本发明提出一种表面等离子共振芯片的再生方法，可有效再生、重复实施并可适用于多种类型的芯片，以克服现有方法再生不完全、再生芯片类型单一和只能再生一次的不足。

本发明表面等离子共振芯片的再生方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)芯片表面的预处理：

a)将固定有芯片的支架放入体积百分浓度为50-100％乙醇水溶液中超声处理至少1分钟，然后将芯片从支架上夹取下来；

b)芯片表面的清洗：若经超声处理的芯片表面粘附有杂质，则将芯片放入四氢呋喃或丙酮中浸泡或超声处理至少1分钟，取出后用水洗净并干燥；若经超声处理的芯片表面无粘附杂质，则用水洗净并干燥；

c)芯片表面基质的去除：将上述处理后的芯片放入硫酸与双氧水体积比为100∶1-400的混合液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

所述芯片包括J1芯片、CM系列芯片、C1芯片、HPA芯片、SA芯片或NTA芯片；

所述J1芯片表面为纯金膜，无其它任何基质，经上述预处理得到的芯片即为J1芯片；所述CM系列芯片包括CM5、CM4或CM3芯片，CM5芯片表面基质为羧甲基化葡聚糖；CM4芯片表面基质为较CM5芯片羧甲基化程度低的羧甲基化葡聚糖；CM3芯片表面基质为较CM5芯片低分子量的羧甲基化葡聚糖；所述C1芯片表面基质为无葡聚糖基质的直链羧化物；所述HPA芯片表面基质为疏水性物质；所述SA芯片表面基质为偶联有链霉亲和素的羧甲基化葡聚糖；所述NTA芯片表面基质为具有氮川三乙酸表面的羧甲基化葡聚糖；

(2)进行芯片表面基质的重构：

①CM系列芯片表面基质的重构：

a)将经预处理的芯片放入含有0.0001-0.1M巯基烷醇的体积百分浓度为50-100％的乙醇水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

所述巯基烷醇包括巯基甲醇、2-巯基乙醇、3-巯基丙醇、4-巯基丁醇、5-巯基戊醇、6-巯基己醇、7-巯基庚醇、8-巯基辛醇、9-巯基壬醇、10-巯基癸醇、11-巯基十一烷醇、12-巯基十二烷醇、13-巯基十三烷醇、14-巯基十四烷醇、15-巯基十五烷醇、16-巯基十六烷醇、17-巯基十七烷醇或18-巯基十八烷醇中至少一种；

b)将经巯基烷醇溶液浸泡并清洗干燥处理的芯片放入含有0.01-10M环氧氯丙烷或0.01-10M环氧溴丙烷的、由体积比为1∶1-5的二甘醇二甲醚与0.01-10M碱金属氢氧化物配制而成的溶液中浸泡至少1分钟，取出后用水洗净并干燥；

c)将经环氧氯丙烷或环氧溴丙烷溶液浸泡并清洗干燥处理的芯片放入0.01-800g/L、分子量为1000-2000000道尔顿的葡聚糖水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

d)将经葡聚糖溶液浸泡并清洗干燥处理的芯片放入含有0.01-10M溴乙酸和0.01-10M碱金属氢氧化物的水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；

②C1芯片表面基质的重构：

将经预处理的芯片放入含有0.0001-0.1M巯基烷酸的体积百分浓度为0-100％的乙醇水溶液中浸泡至少5分钟，取出后用水洗净并干燥；