[发明专利]一种高EPDM含量的EPDM-g-SAN增韧剂的制备方法有效

专利信息
申请号: 200710027744.2 申请日: 2007-04-28
公开(公告)号: CN101050257A 公开(公告)日: 2007-10-10
发明(设计)人: 王炼石;张敦福;蔡彤旻;张安强;曾祥斌 申请(专利权)人: 华南理工大学;广州金发科技股份有限公司
主分类号: C08F255/06 分类号: C08F255/06;C08F4/18;C08F2/44
代理公司: 广州粤高专利代理有限公司 代理人: 何淑珍
地址: 510640广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 epdm 含量 san 增韧剂 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种高EPDM含量的EPDM-g-SAN增韧剂的制备方法,其特征在于包括如下步骤和工艺条件:

(1)在反应器中加入EPDM和惰性良溶剂,使EPDM充分溶解后,再加入引发剂和St、An的混合单体,搅拌混合均匀;所述St与An的质量比为70∶30~50∶50;所述EPDM与混合单体St-An的质量比为5∶5~7∶3;所述引发剂选自过氧化二苯甲酰、1,1-双(叔丁基过氧基)-3,3,5-三甲基环己烷、过氧化2-乙基己酸叔丁酯中的一种或多种;引发剂用量为混合单体质量的1~2.5%;

(2)加入助分散剂,在低速搅拌下,滴加浓度为1~4wt%主分散剂的水溶液,逐渐提高搅拌速度至高速搅拌;补加去离子水,构成EPDM/St-An悬浮接枝共聚合反应体系;所述主分散剂为聚乙烯醇、纤维素醚类和聚丙烯酸钠盐中的一种或者多种;主分散剂用量为惰性良溶剂、EPDM、St及An质量和的0.3~1%;所述助分散剂为阴离子型表面活性剂或非离子型表面活性剂,助分散剂与主分散剂质量比为1∶3~1∶15;所述去离子水的用量为:以重量计,去离子水与分散剂水溶液的水份质量之和与惰性良溶剂、EPDM、St和An重量之和的比例为3∶1~3∶2;

(3)调整搅拌速度至中速,以水浴或油浴加热,将反应体系升温至75~90℃,在氮气保护下恒温反应16-24小时;

(4)将反应体系冷却,出料并滤出产物,经水洗烘干后制得EPDM-g-SAN增韧剂,

所述惰性良溶剂选自苯、甲苯、正庚烷、环己烷、二甲苯、环己酮中的一种或多种的混合物,其用量为EPDM质量的1.5~2.5倍。

2、根据权利要求1所述的一种高EPDM含量的EPDM-g-SAN增韧剂的制备方法,其特征在于所述惰性良溶剂为甲苯。

3、根据权利要求1所述的一种高EPDM含量的EPDM-g-SAN增韧剂的制备方法,其特征在于所述引发剂和St、An混合单体的加入方式为引发剂预先溶于混合单体一并加入到EPDM溶液,或者引发剂预先溶于溶剂,然后滴入EPDM/St-An溶液。

4、根据权利要求1所述的一种高EPDM含量的EPDM-g-SAN增韧剂的制备方法,其特征在于所述EPDM与St-An的质量比为55∶45~65∶35。

5、根据权利要求1所述的一种高EPDM含量的EPDM-g-SAN增韧剂的制备方法,其特征在于阴离子型表面活性剂为十二烷基硫酸钠和十二烷基苯磺酸钠的一种或者两种。

6、根据权利要求1所述的一种高EPDM含量的EPDM-g-SAN增韧剂的制备方法,其特征在于所述非离子型表面活性剂为水溶性的聚氧乙烯山梨醇酐单油酸酯和聚氧乙烯山梨醇酐单硬脂酸酯的一种或者两种。

7、根据权利要求1所述的一种高EPDM含量的EPDM-g-SAN增韧剂的制备方法,其特征在于所述助分散剂与主分散剂质量比为1∶5~1∶10。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学;广州金发科技股份有限公司,未经华南理工大学;广州金发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710027744.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top