[发明专利]一种侧面发光二极管及其制造工艺

权利要求书

1、一种侧面发光二极管，包括管芯、封装胶体、键合线，封装主体支架，其特征在于，封装主体支架采用具有腔体结构的金属基板，金属基板分为相互绝缘的两部分形成两电极，管芯安放于金属基板的腔体内，键合线分别连接管芯电极与金属基板另一部分电极，封装胶体将管芯、金属基板腔体、键合线、金属基板的电极引脚封装起来，并将金属基板相互绝缘的两部分连接在一起。

2、根据权利要求1所述的一种侧面发光二极管，其特征在于，所述金属基板的腔体内设有一个或多个管芯。

3、根据权利要求1或2所述的一种侧面发光二极管，其特征在于，所述管芯通过粘合剂安放于金属基板的腔体内。

4、根据权利要求3所述的一种侧面发光二极管，其特征在于，所述粘合剂为导电胶、绝缘胶或辅助焊接材料。

5、根据权利要求1所述的一种侧面发光二极管，其特征在于，所述腔体结构为椭圆形或长方形或长条形。

6、根据权利要求1所述的一种侧面发光二极管，其特征在于，所述金属基板表面设置有具有反射性能的金属镀层。

7、根据权利要求6所述的一种侧面发光二极管，其特征在于，所述金属镀层为银、金或钯。

8、根据权利要求1所述的一种侧面发光二极管，其特征在于，所述封装胶体成型后封装上表面为平面型、凹透镜型或凸透镜型。

9、根据权利要求1所述的一种侧面发光二极管，其特征在于，所述同一封装胶体内的一个或多个管芯、键合线和金属基板构成一个单元，若干单元的金属基板形成一个整体构成M行N列的单元阵列，其中M≥1，N≥1。

10、根据权利要求1～9所述的一种侧面发光二极管的制造工艺，其特征在于，它包括如下生产步骤：

a、金属基板成型；将金属基板采用半腐蚀工艺加工成带有腔体结构的规则外形，同时进行完全腐蚀穿孔；

b、管芯安放；将发光二极管芯片分别安放于金属基板腔体内部；

c、引线键合；将管芯电极用金线与金属基板另一电极引脚相连；

d、封装；将c过程中引线键合完成的半制品进行封装，树脂固化成型；

e、分板；将侧面发光二极管金属基板组合分离为单个器件；每个器件具有独立的结构和电气特性；

f、测试；对产品进行光电参数测试，分为不同等级；

g、编带包装；对f过程中检验合格品进行包装入库。

11、根据权利要求10所述的一种侧面发光二极管的制造工艺，其特征在于，所述第a步骤中的半腐蚀工艺的金属基板经过制版、基板涂镀感光油、曝光、微腐蚀以及清洗成形，金属基板腐蚀为一个或多个单元阵列成M行N列的金属基板组合，其中M≥1，N≥1。