[发明专利]一种硅胶版的制备工艺

权利要求书

1、一种硅胶版的制备工艺，其特征在于：

1)模具的设计和加工

依据三维图雕刻相应的套模，套模包括凹模和上模，凹模上模腔的形状为三维图样，上模为硅胶版的底板模；

2)套模的处理

A)上模处理液的配制

依次取15％-35％的乙烯基三乙氧基硅烷、15％-35％的无水乙醇、35％-60％的去离子水和1％-5％的浓度为1mol/dm3的盐酸搅拌混合，加完所有材料后，继续搅拌1-2小时待用；

B)上模的处理

将上模表面打磨平整并擦拭干净后，将上模处理液涂在上模表面，在90-130℃下烘烤1-2小时待用；

C)凹模的处理

在凹模表面涂上硅油型脱模剂，加热，待脱模剂完全滋润凹模，如此重复两次；

3)硅胶的混炼

A)称取原料

根据实际烫印需要的硬度，取0％-86％的R401/40S，9.5％-84％的R401/70S，0％-13％的气相二氧化硅，0.5％-4％的硫化剂；

B)混炼

首先将R401/70S或R401/70S与R401/40S的混合物混炼3-5分钟，待胶料不粘辊且柔软时加入硫化剂混炼5-20分钟，待硫化剂分散均匀，整个混炼的过程温度不超过40℃；

4)立体硅胶模的制造

A)凹模涂脱模剂后置于硫化剂工作模板上，升温至150-200℃成形温度；

B)将凹模放入模腔底部，图案朝上；

C)取混炼胶加入凹模上面，再将处理过的上模处理面向下，压在加入了混炼胶的凹模上；

D)套膜两边要放上垫板，垫板高度比套膜高度高0-2mm；

E)合模，在2-6MPa的压力下排气2-3次，保压10-100分钟

F)取出成品，修边清理；

G)二次硫化：将成品置于鼓风烘箱中，升温至140-160℃硫化0.5-2小时，在升温至190-220℃硫化2-6小时，随烘箱降温即可。

2、根据权利要求1所述的硅胶版的制备工艺，其特征在于：还可包括将成型的硅胶版进行打磨。

3、根据权利要求1所述的硅胶版的制备工艺，其特征在于：模具的设计和加工中，当产品弧度大于8mm时，上模需做成相应的弧度模；当产品的弧度小于8mm时，使用平板模来达到这个弧度，可随着弧度相应增加硅胶的厚度。

4、根据权利要求1所述的硅胶版的制备工艺，其特征在于：所述立体硅胶模的制造中，在处理过程的上模若有弧度的弧度面即为处理面，处理面向下，压在加入了混炼胶的凹模上。

5、根据权利要求1所述的硅胶版的制备工艺，其特征在于：所述立体硅胶模的制造中，垫板可为抗高温高压的材质。

6、根据权利要求1或5所述的硅胶版的制备工艺，其特征在于：所述垫板高度最佳为0.1-0.5mm之间。

7、根据权利要求1所述的硅胶版的制备工艺，其特征在于：所述立体硅胶模的制造过程的合模工艺，其保压的时间和厚度成正比。