[发明专利]低温高硅炻瓷及其制作工艺无效
申请号: | 200710035134.7 | 申请日: | 2007-06-14 |
公开(公告)号: | CN101066862A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 曾友强 | 申请(专利权)人: | 湖南华联溢百利瓷业有限公司 |
主分类号: | C04B35/14 | 分类号: | C04B35/14;C04B35/64;C04B35/63;C04B35/80 |
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地址: | 412200湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 高硅炻瓷 及其 制作 工艺 | ||
1、低温高硅炻瓷,其特征在于:在保证其理化性能的前提下,在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英,增大坯体的膨胀系数;主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石,且各组成的配比如下:
钠长石15~35%;高岭土25~40%;石英35~50%;白云石1~5%。
2、如权利要求3所述的低温高硅炻瓷,其特征在于:所述高硅炻瓷的各组成的配比如下:钠长石25%;高岭土32%;粗石英31.5%;超细粉石英10%;白云石1.5%。
3、如权利要求3所述的低温高硅炻瓷,其特征在于:所述的高硅炻瓷的化学组成为:
SiO2:72~79% Al2O3:14.5~18% Fe2O3:0.5~1.5%
TiO2:0.1~1.5% CaO+MgO:0.3~2.5% K2O:0.2~1%
Na2O:1.5~3.5% I.L:4.0~6.5% 其余为杂质。
4、如权利要求3所述的低温高硅炻瓷,其特征在于:所述的高硅炻瓷的化学组成为:
SiO2:74.25% Fe2O3:0.73% Al2O3:16.08%
TiO2:0.15% CaO:0.61% MgO:0.31%
K2O:0.62% Na2O:2.68% I.L:4.56%
5、一种如权利要求3所述低温高硅炻瓷的加工工艺,采用普通炻瓷烧制工艺,其特征在于:烧成温度范围为1175~1225℃,吸水率控制在1~4%之间。
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