[发明专利]低温高硅炻瓷及其制作工艺无效

专利信息
申请号: 200710035134.7 申请日: 2007-06-14
公开(公告)号: CN101066862A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 曾友强 申请(专利权)人: 湖南华联溢百利瓷业有限公司
主分类号: C04B35/14 分类号: C04B35/14;C04B35/64;C04B35/63;C04B35/80
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 412200湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 低温 高硅炻瓷 及其 制作 工艺
【权利要求书】:

1、低温高硅炻瓷,其特征在于:在保证其理化性能的前提下,在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英,增大坯体的膨胀系数;主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石,且各组成的配比如下:

钠长石15~35%;高岭土25~40%;石英35~50%;白云石1~5%。

2、如权利要求3所述的低温高硅炻瓷,其特征在于:所述高硅炻瓷的各组成的配比如下:钠长石25%;高岭土32%;粗石英31.5%;超细粉石英10%;白云石1.5%。

3、如权利要求3所述的低温高硅炻瓷,其特征在于:所述的高硅炻瓷的化学组成为:

SiO2:72~79%      Al2O3:14.5~18%     Fe2O3:0.5~1.5%

TiO2:0.1~1.5%    CaO+MgO:0.3~2.5%   K2O:0.2~1%

Na2O:1.5~3.5%    I.L:4.0~6.5%       其余为杂质。

4、如权利要求3所述的低温高硅炻瓷,其特征在于:所述的高硅炻瓷的化学组成为:

SiO2:74.25%      Fe2O3:0.73%     Al2O3:16.08%

TiO2:0.15%       CaO:0.61%       MgO:0.31%

K2O:0.62%        Na2O:2.68%      I.L:4.56%

5、一种如权利要求3所述低温高硅炻瓷的加工工艺,采用普通炻瓷烧制工艺,其特征在于:烧成温度范围为1175~1225℃,吸水率控制在1~4%之间。

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