[发明专利]发光二极管的封装方法无效

专利信息
申请号: 200710036850.7 申请日: 2007-01-25
公开(公告)号: CN101071834A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 占贤武 申请(专利权)人: 宁波安迪光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所 代理人: 翟羽
地址: 315400浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的封装方法,包括如下步骤:

点胶,即将绝缘胶点入支架反射杯内;

固晶,即将已经准备好的晶粒放置于已经点好的绝缘胶的支架上面;

固晶后烘烤,即将已经固好晶粒的半成品进行烘烤,使晶粒与支架进行固定粘着;

焊线,即将已经烘烤出的晶粒在正负极引出两根金线;

配透光介质,即按比例取出聚二甲基硅酮、发光二极管封装用固化剂进行配制,然后进行搅拌,使其充分混合;

点透光介质,即将抽好真空的由聚二甲基硅酮、发光二极管封装用固化剂调配而成的调配物点在发光二极管晶粒的光出射面上,形成一层含有聚二甲基硅酮的透光介质;

点透光介质后烘烤,即将点好透光介质的支架进行烘烤,以使其固化;以及

配胶、灌胶、灌胶后烘烤步骤。

2.如权利要求1所述发光二极管的封装方法,其特征在于:所述配透光介质步骤中,聚二甲基硅酮、发光二极管封装用固化剂的比例为1∶1。

3.如权利要求1或2所述发光二极管的封装方法,其特征在于:所述点透光介质后烘烤步骤中,烘烤温度在130-150度。

4.如权利要求1或2所述发光二极管的封装方法,其特征在于:所述点透光介质后烘烤步骤中,烘烤时间在1-2小时。

5.如权利要求1所述发光二极管的封装方法,其特征在于:在步骤点配透光介质后,步骤点配透光介质后烘烤前,还有一抽真空步骤,即对由聚二甲基硅酮、发光二极管封装用固化剂调配而成的调配物进行真空脱泡。

6.如权利要求1所述发光二极管的封装方法,其特征在于:所述发光二极管封装用固化剂为二丁基二月桂酸锡或者可起硅醇缩合反应的催化作用的酸和碱或者铅、钴、锡、铁的可溶性有机盐类。

7.如权利要求1所述发光二极管的封装方法,其特征在于:在步骤灌胶后、步骤灌胶后烘烤前,还有一抽真空步骤。

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