[发明专利]晶片平坦度测量点分布方法有效
申请号: | 200710037779.4 | 申请日: | 2007-02-27 |
公开(公告)号: | CN101256975A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 张斐尧;李福洪;江思明;姚宇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李文红 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 平坦 测量 分布 方法 | ||
1. 一种晶片平坦度测量点分布方法,包括:
测量所述晶片的半径R;
将所述半径划分为特定数目的等份;
根据所述等份确定各同心圆;
沿圆心到圆周的方向以数量递增的方式在所述各同心圆的圆周上布置测量点。
2. 如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述特定数目为5至20之间的自然数N。
3. 如权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述各同心圆圆周上测量点的数目大于与所述同心圆相邻的内圈同心圆圆周上测量点的数目。
4. 如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述同心圆的圆心具有一个测量点。
5. 如权利要求4所述的方法,其特征在于:所述各同心圆圆周上测量点的数目为奇数。
6. 如权利要求5所述的方法,其特征在于:第一个同心圆的圆周上测量点数目为3、第二个同心圆的圆周上测量点数目为5、第三个同心圆的圆周上测量点数目为7、......第n个同心圆的圆周上测量点数目为2n+1。
7. 如权利要求6所述的方法,其特征在于:所述测量点的位置按极坐标的方式确定。
8. 如权利要求7所述的方法,其特征在于:
第一个同心圆的圆周上测量点的位置为:R/N,0度;R/N,360度/3;R/N,(360度/3)×2;
第二个同心圆的圆周上测量点的位置为:(R/N)×2,0度;(R/N)×2,360度/5;(R/N)×2,(360度/5)×2);(R/N)×2,(360度/5)×3);(R/N)×2,(360度/5)×4);
第三个同心圆的圆周上测量点的位置为:(R/N)× 3,0度;(R/N)×3,360度/7;(R/N)×3,(360度/7)×2),.....,(R/N)×3,(360度/7)×6;
第n个同心圆的圆周上测量点的位置为:(R/N)×n,0’;(R/N)×n,360度/(2n+1));(R/N)×n,(360度/(2n+1))*2),......,(R/N)×n,(360度/(2n+1))×2n),
其中n=1、2.....N。
9. 如权利要求4所述的方法,其特征在于:所述各同心圆圆周上测量点的数目为偶数。
10. 如权利要求8所述的方法,其特征在于:第一个同心圆的圆周上测量点数目为2、第二个同心圆的圆周上测量点数目为4、第三个同心圆的圆周上测量点数目为6、......第n个同心圆的圆周上测量点数目为2n。
11. 如权利要求10所述的方法,其特征在于:所述测量点的位置按极坐标的方式确定。
12. 如权利要求11所述的方法,其特征在于:
第一个同心圆的圆周上测量点的位置为:R/N,0度;R/N,360度/2;
第二个同心圆的圆周上测量点的位置为:(R/N)×2,0度;(R/N)×2,360度/4;(R/N)×2,(360度/4)×2);(R/N)×2,(360度/4)×3);
第三个同心圆的圆周上测量点的位置为:(R/N)×3,0度;(R/N)×3,360度/6;(R/N)×3,(360度/6)×2),.....,(R/N)×3,(360度/6)×5;
第n个同心圆的圆周上测量点的位置为:(R/N)× n,0,;(R/N)×n,360度/(2n));(R/N)× n,(360度/(2n))*2),......,(R/N)×n,(360度/2n)×(2n-1)),
其中n=1、2.....N。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造