[发明专利]晶片平坦度测量点分布方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种用于测量晶片平坦度的测量点的分布方法。

背景技术

在半导体制造技术领域中，用于形成大规模集成电路的半导体晶片，特别是单晶硅晶片，为了满足在半导体晶片上能够制造最大可能数量的半导体器件，要求晶片表面具有很高的平坦度。而且随着半导体工艺进入深亚微米时代，半导体器件的集成度越来越高，半导体晶片的直径由原来的6英寸、8英寸到现在的12英寸。如此大面积的半导体晶片需要晶片的正面中心和边缘部分的平坦程度尽可能接近，都应该确保具有要求的平坦度。前述半导体晶片的正面为其上将要制造半导体元件的表面。这意味着要以非常小的边缘排除量来执行平坦度的测量，并且不仅需要被描述的整体部位(full site，指能够在其上形成全部元件的所有表面单元)满足指定的平坦度值，而且局部(partial site，指晶片边缘的表面单元)也应当满足指定的平坦度值。

对于确定半导体晶片的平坦度，申请号为200310123916.8的中国专利申请公开了一种晶片平坦度评价方法。现有技术中大都采用光学测量的方式，利用光学扫描设备，例如KLA-Tencor公司的光学测量系统，通过系统自身的操作软件生成对应于被测晶片表面的、具有特定布局的测量点，从测量点向晶片表面发射光波并接收反射光，经计算各个测量点的光反射率得到晶片表面的平坦度值。

图1为现有技术中晶片平坦度得测量点分布示意图。如图1所示，现有测量点分布方法是将晶片沿圆周方向分成若干等分，测量点平均分布于半径方向，每个半径方向分布的测量点数量相同。图1中以生成64个测量点为例，将圆周分成8等分，每个半径上分布8个测量点。这种沿半径平均分布的方法虽然生成算法简单，易于实现，但是这种分布方法越到晶片的边缘测量点的密度越低，在很大程度上不能真实反应晶片表面的全局平坦程度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种测量晶片平坦度的测量点的分布方法，能够提高测量点在晶片表面的分布均匀性，以非常小的边缘排除量进行平坦度的测量。

为达到上述目的，本发明提供了一种晶片平坦度测量点分布方法，包括：

测量所述晶片的半径R；

将所述半径划分为特定数目的等份；

根据所述等份确定各同心圆；

沿圆心到圆周的方向以数量递增的方式在所述各同心圆的圆周上布置测量点。

所述特定数目为5至20之间的自然数N。

所述各同心圆圆周上测量点的数目大于与所述同心圆相邻的内圈同心圆圆周上测量点的数目。

所述同心圆的圆心具有一个测量点。

所述各同心圆圆周上测量点的数目为奇数。

优选地，第一个同心圆的圆周上测量点数目为3、第二个同心圆的圆周上测量点数目为5、第三个同心圆的圆周上测量点数目为7、......第n个同心圆的圆周上测量点数目为2n+1。

所述测量点的位置按极坐标的方式确定。

优选地，第一个同心圆的圆周上测量点的位置为：R/N，0度；R/N，360度/3；R/N，(360度/3)×2；

第二个同心圆的圆周上测量点的位置为：(R/N)×2，0度；(R/N)×2，360度/5；(R/N)×2，(360度/5)×2)；(R/N)×2，(360度/5)×3)；(R/N)×2，(360度/5)×4)；

第三个同心圆的圆周上测量点的位置为：(R/N)×3，0度；(R/N)×3，360度/7；(R/N)×3，(360度/7)×2)，.....，(R/N)×3，(360度/7)×6；

第n个同心圆的圆周上测量点的位置为：(R/N)×n，0’；(R/N)×n，360度/(2n+1))；(R/N)×n，(360度/(2n+1))*2)，......，(R/N)×n，(360度/(2n+1))×2n)，

其中n＝1、2.....N。

优选地，所述各同心圆圆周上测量点的数目为偶数。

第一个同心圆的圆周上测量点数目为2、第二个同心圆的圆周上测量点数目为4、第三个同心圆的圆周上测量点数目为6、......第n个同心圆的圆周上测量点数目为2n。

所述测量点的位置按极坐标的方式确定。

第一个同心圆的圆周上测量点的位置为：R/N，0度；R/N，360度/2；

第二个同心圆的圆周上测量点的位置为：(R/N)×2，0度；(R/N)×2，360度/4；(R/N)×2，(360度/4)×2)；(R/N)×2，(360度/4)×3)；