[发明专利]芯片标识的制作方法及光罩

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造和测试领域，尤其涉及半导体器件芯片标识的制作方法及光罩。

背景技术

在半导体制造技术中，要完成半导体产品通常要经过许多个工艺，例如光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺等；在这些工艺中必须应用到庞大数量的机台以及许多繁琐的程序。因此，本领域技术人员皆致力于确保机台运作正常、维持或提高产品合格率、侦测确认问题点以及机台维修等，以使半导体产品的生产速度及品质能够合乎客户需求。

一般而言，要探讨半导体工艺的问题可以从下列数据资料着手进行分析，包括工艺参数资料、线上品质测试资料、缺陷检测资料、样品测试资料、晶片测试资料以及封装后测试资料。其中，封装后测试资料是当晶片切割并进行封装程序后，对所制得的半导体器件进行产品测试得到的检测值。

然而，集成电路历近四十年的发展，单一芯片所能容纳的器件数量，呈现爆炸性的成长。随着半导体工艺技术进步到超大规模集成电路，甚至是更先进的工艺，单一芯片上所容纳的器件数已由以往的几千个器件提高至几千万个器件。因此，对如此密集分布的电路及数量庞大的器件而言，为了确保芯片的运作特性及可靠度，对芯片的检查或品管工作变得更加重要。

现有芯片的检测方法包括专利号为98115227的中国专利所描述的检测临界电压或饱和电流，是在制作半导体器件过程中检测的，因此无需将芯片从晶圆上切割下来，这样就能清楚了解整个晶圆的质量情况。而另外例如电性能测试以及良率测试则需要对芯片封装完后才能进行检测，具体技术方案请参考申请号为03102246的中国专利申请所描述的，先将芯片从晶圆上切割下来，然后再将芯片进行封装，封装完后用探针对芯片的引脚进行测试，然而这样的测试做完以后只能了触单个芯片的质量情况，而由于无法确定单个芯片原来在晶圆上的位置，因而无法确定晶圆的质量情况。

现有技术在进行电性能测试或良率检测时，必须先将芯片从晶圆上切割下来封装后才能进行测试，然而这样的测试做完以后只能了解单个芯片的质量情况，而由于无法确定单个芯片原来在晶圆上的位置，因而无法确定晶圆的质量情况。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种芯片标识的制作方法及光罩，防止测试完芯片后无法还原至原来晶圆上的位置，无法确定整个晶圆的情况。

为解决上述问题，本发明提供一种芯片标识的制作方法，包括下列步骤：确定与芯片一一对应的芯片标识图形；将芯片标识图形转移至晶圆的芯片切割保护环上，形成芯片标识。

所述形成芯片标识的步骤包括：在晶圆上定义至少一个曝光区域；在每个曝光区域的芯片对应的芯片切割保护环上形成相应的区域标识，所述区域标识用于区分不同的曝光区域；在光罩上形成区分同一曝光区域中芯片的区域芯片标识图形；将光罩上的区域芯片标识图形转移至曝光区域的非区域标识所在的芯片切割保护环上，形成与芯片一一对应的区域芯片标识，并与区域标识构成芯片标识。

所述形成相应的区域标识通过激光束写在芯片切割保护环上。

所述区域标识包括阿拉伯数字、英文字母或者阿拉伯数字和英文字母结合。

所述形成区域芯片标识图形的工具为用激光束或电子束。

将光罩上区域芯片标识图形转移至芯片切割保护环上的工具为曝光机台。

所述曝光区域面积为光罩面积的1/5～1/4。

所述光罩上包含的区域芯片标识图形数量与曝光区域中的芯片数量一致。

所述区域芯片标识图形可以是阿拉伯数字、也可以英文字母或者阿拉伯数字和英文字母结合。

所述形成芯片标识的步骤包括：用激光束在芯片切割保护环上写上芯片标识。

所述形成芯片标识的步骤包括：形成与曝光区域对应的光罩，其中每个光罩上包含区分曝光区域及区分同一曝光区域中芯片的芯片标识图形；将光罩上的芯片标识图形转移至晶圆的相应曝光区域的芯片切割保护环上，形成区分晶圆上芯片的芯片标识。

所述芯片切割保护环位于芯片的四周。

本发明还提供一种光罩，包含透明基板、位于透明基板上的铬膜层、芯片标识图形，贯穿铬膜层露出透明基板。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明确定与芯片一一对应的芯片标识图形，芯片标识图形可以在光罩上；将芯片标识图形转移至晶圆的芯片切割保护环上，形成芯片标识。这样可以对芯片测试完以后，根据芯片上的标识知道该芯片原来位于晶圆的位置，从而确定整个晶圆的质量情况，进而在后续芯片制作过程能注意在出现缺陷问题的位置进行改进。

附图说明

图1是本发明制作芯片标识的实施例流程图；