[发明专利]氧化硅纳米线的制备方法及其应用无效
| 申请号： | 200710039115.1 | 申请日： | 2007-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101279736A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡克峰;张爱霞 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;沈其梅 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
1. 氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，将硅油置于刚玉容器内，加适量有机金属化合物，将刚玉容器放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并通入惰性气体保护，将炉温升到950-1100℃，保温1-5小时。
2. 权利要求1所述的氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的惰性气体的流量为6-15sccm。
3. 权利要求2所述的氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的惰性气体为氩气或氦气。
4. 权利要求1所述的氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的硅油为聚硅氧烷。
5. 权利要求4所述的氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的硅油为聚二甲基硅氧烷液体。
6. 权利要求1、2、3、4或5所述的任一氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的金属有机化合物是二茂铁、二茂钴或二茂镍。
7. 权利要求6所述的氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的金属有机化合物是二茂铁。
8. 权利要求1、2、3、4、5或7所述的任一氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的耐高温板是莫来石砖或氧化铝砖。
9. 权利要求1、2、3、4、5或7所述的任一氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的高温炉是石英管式炉或氧化铝管式炉。
10. 权利要求1所述的氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述的有机金属化合物的添加量为硅油的1-5％(重量百分比)。
11. 根据权利要求1所述的方法制备的氧化硅纳米线在催化、传感、以及光致发光和波导等光学材料领域中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710039115.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种运动物体的通用防撞装置
- 下一篇：一种养血、滋阴保健酒的组配及制作方法
