[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底上都形成有栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；

以栅极为掩膜，在核心器件区域的半导体衬底内进行第一次离子注入；

进行尖锋退火，在核心器件区域栅极介电层两侧的半导体衬底内形成低掺杂源漏区；

以栅极为掩膜，在输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第二次离子注入；

进行快速热退火，在输入/输出器件区域栅极介电层两侧的半导体衬底内形成低掺杂源漏区；

在核心器件区域和输入/输出器件区域的栅极介电层以及栅极的侧壁形成间隙壁；

以栅极和间隙壁为掩膜，在核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第三次离子注入，形成重掺杂源漏区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第一次离子注入工艺包括：以栅极为掩膜，在核心器件区域的半导体衬底内进行第一离子注入；以栅极为掩膜，在核心器件区域的半导体衬底内进行第二离子注入。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第二次离子注入工艺包括：以栅极为掩膜，在输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第三离子注入；以栅极为掩膜，在输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第四离子注入。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第二次离子注入工艺包括：以栅极为掩膜，在输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第三离子注入；以栅极为掩膜，在输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第四离子注入；以栅极为掩膜，在输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第五离子注入。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述快速热退火的退火温度为900℃至1000℃。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，快速热退火的退火时间为5至120秒。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，快速热退火的退火时间为10至30秒。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第一次离子注入的注入离子为磷离子或者砷离子，离子注入能量为2至35KeV，离子注入剂量为5E12至2E15/cm²。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第二次离子注入的注入离子为磷离子或者砷离子，离子注入能量为2至35KeV，离子注入剂量为5E12至2E15/cm²。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第三次离子注入的注入离子为磷离子或者砷离子，注入能量为8至50KeV，注入剂量为1E14至7E15/cm²。

11.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第一离子注入的注入离子为磷离子或者砷离子，第二离子注入的注入离子为硼离子或者铟离子。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第一离子注入的工艺为：离子注入能量为2至35KeV，离子注入剂量为5E12至2E15/cm²，第二离子注入的工艺为：离子注入能量为3至150KeV，离子注入剂量为1E13至9E13/cm²。

13.根据权利要求3或4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第三离子注入的注入离子为磷离子或者砷离子，第四离子注入的注入离子为硼离子或者铟离子。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第三离子注入的工艺为：离子注入能量为2至35KeV，离子注入剂量为5E12至2E15/cm²，第四离子注入的工艺为：离子注入能量为3至150KeV，离子注入剂量为1E13至9E13/cm²。